[发明专利]多端口非易失性存储器设备及其存取方法

权利要求书

1.一种系统，其包括：

处理器；以及

多端口存储器，其耦合到所述处理器，所述多端口存储器包括：

包含第一非易失性存储器的第一存储器单元，所述第一非易失性存储器包括第一电阻性存储器结构，其中所述第一电阻性存储器结构串联耦合在第一组存取晶体管的第一存取晶体管和所述第一组存取晶体管的第二存取晶体管之间；

包含第二非易失性存储器的第二存储器单元，所述第二非易失性存储器包括第二电阻性存储器结构，其中所述第二电阻性存储器结构串联耦合在第二组存取晶体管的第一存取晶体管和所述第二组存取晶体管的第二存取晶体管之间；

第一端口和第二端口，其中所述第一端口和所述第二端口可操作以启用经由所述第一端口对所述第一存储器单元的第一存储器操作的执行，同时启用经由所述第二端口对所述第二存储器单元的第二存储器操作的执行，且其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元均可经由所述第一端口和所述第二端口来存取；及

耦合到所述第一端口和所述第二端口的端口数据选择器，其中：

所述端口数据选择器包括位线多路复用器、感测线多路复用器、位线写入电压多路复用器和感测线写入电压多路复用器；

所述位线多路复用器经配置以至少部分基于所述位线写入电压多路复用器选择待施加于与所述第一端口相关联的位线的位线电压；以及

所述感测线多路复用器经配置以至少部分基于所述感测线写入电压多路复用器选择待施加于与所述第一端口相关联的感测线的感测线电压；

其中所述多端口存储器为包括多端口自旋力矩转移磁阻式随机存取存储器STT-MRAM单元的寄存器堆。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器操作是数据读操作，所述第二存储器操作是数据写操作。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一组存取晶体管耦合在第一位线和第一感测线之间，且所述第二组存取晶体管耦合在第二位线和第二感测线之间。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述端口数据选择器经配置以确定所述第一位线或所述第二位线是否被用于读操作和写操作中的一者。

5.根据权利要求3所述的系统，其中所述端口数据选择器经配置以确定所述第一感测线或第二感测线是否被用于读操作和写操作中的一者。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理器和所述多端口存储器集成在至少一个半导体裸片中。

7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括设备，所述设备包括娱乐单元、通信装置、固定位置数据单元或其组合，且所述处理器和所述多端口存储器集成于所述设备中，其中所述通信装置包括机顶盒、导航装置、个人数字助理PDA或计算机，所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。