[发明专利]含常导通晶体管和常关断晶体管的开关的系统和方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一驱动器，包括被配置为耦合至常关断晶体管的控制节点的第一输出端，所述第一驱动器被配置为以共源共栅模式在所述第一输出端处驱动第一切换信号并且被配置为以直接驱动模式在所述第一输出端处驱动第一恒定电压，其中所述常关断晶体管具有位于所述常关断晶体管的第一负载路径端与所述常关断晶体管的第二负载路径端之间的第一负载路径；以及

第二驱动器，包括被配置为耦合至常导通晶体管的控制节点的第二输出端，所述第二驱动器被配置为以所述直接驱动模式在所述第二输出端处驱动第二切换信号并且被配置为以共源共栅模式在所述第二输出端处驱动静态信号，其中所述常导通晶体管具有位于所述常导通晶体管的第三负载路径端与所述常导通晶体管的第四负载路径端之间的第二负载路径，所述常关断晶体管的所述第二负载路径端耦合至所述常导通晶体管的所述第三负载路径端。

2.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第二驱动器被进一步配置为在共源共栅模式下在所述第二输出端处处于高阻抗；以及

所述电路进一步包括耦合在所述常导通晶体管的控制节点与所述常关断晶体管的第一负载路径端之间的开关，所述开关被配置为在所述直接驱动模式下断开且在所述共源共栅模式下闭合。

3.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一驱动器包括所述第一驱动器的第一电源端以及配置为耦合至所述常关断晶体管的第一负载路径端的所述第一驱动器的第二电源端；以及

所述第二驱动器包括所述第二驱动器的第三电源端以及被配置为耦合至所述常导通晶体管的第三负载路径端的所述第二驱动器的第四电源端。

4.根据权利要求3所述的电路，其中：

所述第一切换信号包括在所述第一驱动器的第一电源端的电压与所述常关断晶体管的第一负载路径端的电压之间进行转换的电压；以及

所述第二切换信号包括在所述常导通晶体管的第三负载路径端的电压与所述第二驱动器的第三电源端的电压之间进行转换的电压。

5.根据权利要求3所述的电路，进一步包括：

第一电源，耦合在所述第一驱动器的第一电源端与所述第一驱动器的第二电源端之间；以及

第二电源，耦合在所述第二驱动器的第三电源端与所述第二驱动器的第四电源端之间。

6.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：所述常导通晶体管和所述常关断晶体管。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述常导通晶体管包括GaNHEMT器件，并且所述常导通晶体管的第三负载路径端包括所述GaNHEMT器件的源极。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述常关断晶体管包括增强模式型MOSFET晶体管，所述增强模式型MOSFET晶体管的第二负载路径端包括所述增强模式型MOSFET晶体管的漏极，并且所述增强模式型MOSFET晶体管的第一负载路径端包括所述增强模式型MOSFET晶体管的源极。