[发明专利]自回授控制电路有效
申请号: | 201510546800.8 | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105159384A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 张用玺;姜信钦 | 申请(专利权)人: | 晶焱科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制电路 | ||
1.一种自回授控制电路,连接一控制器局域网络总线,以控制该控制器局域网络总线的一高电压输出电平与一低电压输出电平,其特征在于,该自回授控制电路包括有:
一控制器区域驱动电路,连接该控制器局域网络总线,该控制器区域驱动电路包括有一第一晶体管、一第二晶体管、一第一被动组件以及一第二被动组件,其中该第一晶体管与该第一被动组件依序串接于一输入电源与该高电压输出电平之间,该第二晶体管与该第二被动组件依序串接于一接地端与该低电压输出电平之间;以及
一复制电路,并联该控制器区域驱动电路,该复制电路具有一上回授电路与一下回授电路,且该上回授电路与该下回授电路共同连接于一共态点,其中,该复制电路自该共态点产生一回授信号,使得该回授信号分别经由该上回授电路与该下回授电路传送至该第一晶体管与该第二晶体管,以完成对该高电压输出电平与该低电压输出电平的直流电平控制。
2.根据权利要求1所述的自回授控制电路,其特征在于,该控制器局域网络总线更包括有至少二输出电阻,其中一该输出电阻串联于该高电压输出电平与一中介输出电平之间,另一该输出电阻串联于该中介输出电平与该低电压输出电平之间。
3.根据权利要求2所述的自回授控制电路,其特征在于,该上回授电路更包括有一第三晶体管、一第三被动组件与一第三电阻,该第三晶体管、该第三被动组件与该第三电阻依序串接于该输入电源与该共态点之间,且该第三晶体管连接该控制器区域驱动电路的该第一晶体管。
4.根据权利要求3所述的自回授控制电路,其特征在于,该下回授电路更包括有一第四晶体管、一第四被动组件与一第四电阻,该第四晶体管、该第四被动组件与该第四电阻依序串接于该接地端与该共态点之间,且该第四晶体管连接该控制器区域驱动电路的该第二晶体管。
5.根据权利要求4所述的自回授控制电路,其特征在于,该第三电阻的阻值为该输出电阻的n倍,该第三晶体管与该第三被动组件的电流各自为该控制器区域驱动电路的该第一晶体管与该第一被动组件的1/n倍,且n为正整数。
6.根据权利要求5所述的自回授控制电路,其特征在于,该第四电阻的阻值为该输出电阻的n倍,该第四晶体管与该第四被动组件的电流各自为该控制器区域驱动电路的该第二晶体管与该第二被动组件的1/n倍,且n为正整数。
7.根据权利要求6所述的自回授控制电路,其特征在于,该第一晶体管与该第三晶体管为P型金氧半场效晶体管。
8.根据权利要求6所述的自回授控制电路,其特征在于,该第二晶体管与该第四晶体管为N型金氧半场效晶体管。
9.根据权利要求6所述的自回授控制电路,其特征在于,该第一被动组件、该第二被动组件、该第三被动组件与该第四被动组件各自为一二极管。
10.根据权利要求4所述的自回授控制电路,其中该控制器区域驱动电路更包括至少一第五晶体管与至少一第六晶体管,该至少一第五晶体管串接于该第一晶体管与该第一被动组件之间,该至少一第六晶体管串接于该第二晶体管与该第二被动组件之间。
11.根据权利要求10所述的自回授控制电路,其特征在于,该上回授电路更包括至少一第七晶体管,其串接于该第三晶体管与该第三被动组件之间,且该至少一第七晶体管的设置数量对应该至少一第五晶体管的数量。
12.根据权利要求11所述的自回授控制电路,其特征在于,该第五晶体管与该第七晶体管为P型金氧半场效晶体管。
13.根据权利要求12所述的自回授控制电路,其特征在于,该第七晶体管的电流设计为该控制器区域驱动电路的该第五晶体管的1/n倍,n为正整数。
14.根据权利要求11所述的自回授控制电路,其特征在于,该下回授电路更包括至少一第八晶体管,其串接于该第四晶体管与该第四被动组件之间,且该至少一第八晶体管的设置数量对应该至少一第六晶体管的数量。
15.根据权利要求14所述的自回授控制电路,其特征在于,该第六晶体管与该第八晶体管为N型金氧半场效晶体管。
16.根据权利要求15所述的自回授控制电路,其中该第八晶体管的电流设计为该控制器区域驱动电路的该第六晶体管的1/n倍,n为正整数。
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