[发明专利]有机电致发光装置以及电子设备

说明书

本发明涉及有机电致发光装置以及电子设备。有机电致发光装置具备第1晶体管、与第1晶体管的一个电流端连接的电源线层、具有与第1晶体管的栅极连接的第1电容电极和第2电容电极的电容元件、信号线、以及与第1晶体管的另一个电流端连接的像素电极，第1电容电极与第1晶体管的栅极相比被设置在上层，电源线层被设置在第1电容电极与信号线之间的层。

技术领域

本发明涉及利用了有机EL材料的发光材料的有机电致发光装置。

背景技术

以往提出例如将在基板上呈平面状排列利用了有机EL材料的发光元件的发光装置作为各种电子设备的显示装置。专利文献1公开了在形成扫描线、栅电极等的层上形成构成电容元件的电容电极的技术。

专利文献1：日本特开2007－226184号公报

然而，如专利文献1那样在形成扫描线以及栅电极的层上形成电容电极的情况下，必须避开扫描线等控制线以及栅电极来形成电容电极，电容元件的电容确保较困难。

发明内容

考虑以上的情况，本发明的目的在于有效地活用栅电极以上的层，来提供一种具有用于高密度的像素的像素结构的有机电致发光装置以及电子设备。

为了解决以上的课题，本发明的优选的方式的有机电致发光装置的特征在于，具备：第1晶体管；电源线层，其与上述第1晶体管的一个电流端连接；电容元件，其具有与上述第1晶体管的栅极连接的第1电容电极和第2电容电极；第2晶体管；扫描线，其与上述第2晶体管的栅极连接；信号线，其与上述第2晶体管的一个电流端连接；以及像素电极，其与上述第1晶体管的另一个电流端连接，上述第1电容电极与上述第1晶体管的栅极相比被设置在上层，上述电源线层被设置在上述第1电容电极与上述信号线之间的层。在以上的构成中，由于在第1电容电极与信号线之间配置电源线层，所以通过电源线层的屏蔽效果来抑制信号线与第1电容电极的耦合。

本发明的优选的方式中，上述电源线层被设置在上述第1电容电极与上述扫描线之间的层。因此，通过电源线层的屏蔽效果，除了信号线还抑制扫描线与第1电容电极的耦合。

在本发明的优选的方式中，上述电源线层被设置在上述第1电容电极与上述像素电极之间的层。因此，通过电源线层的屏蔽效果来抑制像素电极与第1电容电极之间的耦合。

在本发明的优选的方式中，具备贯通从形成上述第1晶体管的电流端的层到形成有上述像素电极的层为止的各层的多个导通孔、和与上述多个导通孔的各个连接的多个中继电极，通过上述多个导通孔和上述多个中继电极来连接上述第1晶体管的上述另一个电流端和上述像素电极。因此，与使像素电极延伸到形成有第1晶体管的另一个电流端的层来实现导通的情况相比，能够通过低电阻实现第1晶体管和像素电极的导通。

在本发明的优选的方式中，上述电源线层具备第1电源线层和第2电源线层，在上述第1电源线层与上述第2电源线层之间设置上述第1电容电极，连接上述第1电源线层和上述第2电源线层的电源间导通部以沿着上述信号线的延伸方向以及上述扫描线的延伸方向中的至少任意一个方向延伸的方式设置。因此，通过连接第1电源线层和第2电源线层的电源间导通部的屏蔽效果，抑制一个像素中的第1电容电极和与该一个像素相邻的像素中的第1电容电极之间的耦合。

在本发明的优选的方式中，上述第2电容电极与上述电源线层电连接，并形成在上述电源线层的下层。因此，由于在电源线层的下层形成有与电源线层连接的第2电容电极，所以与将电源线层使用于电容元件的电容电极的情况相比，能够减薄电极的厚度，增大电容元件的电容变得容易。另外，电容电极的配置的自由度变高。

在本发明的优选的方式中，具有与上述第1晶体管的栅极连接的栅极配线，上述第1电容电极与上述栅极配线电连接，并形成在上述栅极配线的下层。因此，由于在栅极配线的下层形成与栅极配线连接的第1电容电极，所以与将栅极配线使用于电容元件的电容电极的情况相比，能够减薄电极的厚度，增大电容元件的电容变得容易。另外，电容电极的配置的自由度变高。