[发明专利]化学汽相沉积设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年9月1日提交的韩国专利申请No.10-2014-0115732的权益，该专利申请特此以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。

技术领域

本发明涉及在基板上沉积薄层的沉积设备，更特别地，涉及通过化学汽相沉积(CVD)方法在基板上沉积薄层的化学汽相沉积设备。

背景技术

平板显示(FPD)设备被应用于诸如便携式电话、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机等各种电子装置。FPD设备的示例包括液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示设备等。近来，电泳显示(EPD)设备正被广泛用作FPD设备中一种类型。

在这种FPD设备(下文中被简称为显示设备)中，LCD设备是使用液晶的光学各向异性来显示图像的设备。LCD设备具有诸如薄、轻、低功耗、高图像质量等优良特征，因此正被广泛运用。

在显示设备中，有机发光显示设备使用自发光的自发光装置，因此具有快速响应时间、高发光效率、高亮度、广视角等。因此，有机发光显示设备作为下一代FPD设备正备受关注。

为了制造显示设备，应该在母基板的表面上设置电路图案。为此目的，应该执行基板处理过程。这里，基板处理过程包括：薄膜沉积过程，其在母基板上沉积薄层；光过程，其使用感光材料选择性暴露薄层；蚀刻过程，其通过去除被选择性暴露的区域中的薄层来形成图案；等。

可使用物理汽相沉积(PVD)方法或化学汽相沉积(CVD)方法执行薄膜沉积过程。

使用CVD方法的化学汽相沉积(CVD)设备包括使用等离子体的等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)设备。

图1是示出应用于相关技术的CVD设备的母基板的示例性示图，该母基板的边缘被荫罩框架(shadow frame)覆盖。

在相关技术的CVD设备中，母基板2设置在底座1上，母基板2的边缘被荫罩框架3覆盖。用装载销4抬高或降低母基板2，因此，母基板2设置在基座(susceptor)1上或者被从基座1拆卸。

当向气体喷射部件(未示出)和基座1供电时，通过气体喷射部件向母基板2喷射气体。此时，在基座1和气体喷射部件之间产生等离子体，通过等离子体在母基板2上沉积薄层。

在相关技术的CVD设备中，如图1中所示，荫罩框架3覆盖母基板2的边缘和基座1的边缘，以防止通过等离子体形成的薄层沉积在基座1以及母基板2的边界上并且防止基座1因等离子体而受损。

然而，由于荫罩框架3覆盖母基板2的边缘，因此在母基板2中设置有没有沉积薄层的非沉积区A。因此，母基板2的可用面积减小，为此原因，基于一个母基板2制造的显示设备的数量减少。

此外，使荫罩框架3与母基板2接触，出于这个原因，母基板2受损。

为了提供关于相关技术的CVD设备的另外描述，如图1中所示，由于母基板2的最靠外区域被荫罩框架3覆盖，因此薄层不可避免地沉积在最靠外区域上。为此原因，母基板2的使用效率降低。另外，在使用相关技术的CVD设备沉积薄层的过程中，等离子体在母基板2的最靠外区域中与母基板2反应或者在基座1的边缘处与基座1反应，从而造成等离子体异常放电。因此，没有正常沉积薄层，从而造成缺陷。

发明内容

因此，本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的化学汽相沉积设备。

本发明的一方面涉及提供一种CVD设备，在该CVD设备中，基座的顶部被覆盖，没有被暴露于等离子体，并且母基板的整个表面被露出。

本发明的额外优点和特征将在随后的描述中部分阐述并且对于本领域的普通技术人员在阅读了下文后将变得显而易见或者可通过本发明的实践而得知。可通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述的，提供了一种化学汽相沉积(CVD)设备，该CVD设备包括处理腔室、基座、辅助支承部件、气体喷射部件和荫罩框架。基座可安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板。辅助支承部件可以按四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘。气体喷射部件可安装在所述处理腔室中，以面对所述基座，并且可将处理气体喷射到所述母基板。荫罩框架可覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。

要理解，对本发明的以上总体描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且旨在对要求保护的本发明提供进一步说明。

附图说明