[发明专利]高寄生通带抑制四分之一模基片集成波导频率选择表面

权利要求书

1.高寄生通带抑制四分之一模基片集成波导频率选择表面，其特征在于，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层；第一金属覆铜层沿边缘刻蚀有“L”型缝隙，第二金属覆铜层在对应位置刻蚀有相同尺寸“L”型缝隙，所述“L”型缝隙由短边和长边构成，且第一金属覆铜层上“L”型缝隙的短边与第二金属覆铜层上“L”型缝隙的长边对应开设、第一金属覆铜层上“L”型缝隙的长边与第二金属覆铜层上“L”型缝隙的短边对应开设；介质层上围绕“L”型缝隙设置一系列贯穿金属化孔，与第一金属覆铜层和第二金属覆铜层共同构成基片集成波导波导谐振腔；所述“L”型缝隙的长边和短边满足以下关系：

四分之一模谐振腔腔体主模TM_0.5,0.5,0谐振频率：

缝隙谐振频率：

其中，sl₁为短边长度，sl₂为长边长度，c₀为真空中光速，ε_r为所用介质介电常数。

2.按权利要求1所述基片集成波导频率选择表面，其特征在于，所述基片集成波导频率选择表面的宽高比大于10。

3.按权利要求1所述基片集成波导频率选择表面，其特征在于，所述金属化孔呈正方形排列，所述“L”型缝隙位于金属化孔围成正方形的任意一角。