[发明专利]一种SONOS器件中ONO结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510547787.8 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105206581B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙勤;江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 器件 ono 结构 制造 方法 | ||
1.一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01、采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；
步骤S02、对所述隧穿氧化层进行掺氮，且所述掺氮浓度随着所述隧穿氧化层的深度逐渐递减，使得整体隧穿氧化层能级从所述隧穿氧化层的上表面往下也呈平缓递减；
步骤S03、在所述隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；
步骤S04、在所述氮化硅层的上方，采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。
2.根据权利要求1所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S01中，采用原位氧原子氧化设备制备隧穿氧化层。
3.根据权利要求2所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述原位氧原子氧化设备制备隧穿氧化层时的压力为500mtorr～100torr，温度为800℃～1200℃，时间30s～10min，氢氧比例是2：1～1：3。
4.根据权利要求1所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S02中，采用等离子氮化设备对所述隧穿氧化层进行掺氮。
5.根据权利要求4所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述等离子氮化设备的功率为10w～1000w，压力为1mtorr～50torr，时间为1s～100s。
6.根据权利要求1所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S03中，采用低压化学气相沉积工艺形成所述氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述阻挡氧化层形成后，在其上方制备多晶硅栅极。
8.根据权利要求7所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积工艺形成所述多晶硅栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
