[发明专利]一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法

权利要求书

1.一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01、提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，所述晶圆模板被划分为至少两个不同表面高度的区域，所述区域包括至少一个曝光单元；其中，各所述区域内由单个所述曝光单元组成，或者由多个所述曝光单元组成，且所述曝光单元在所述晶圆模板内随机组合，所述晶圆模板在表面形成高度梯度之前，每次涂胶后，只需在一个所述区域曝光，其他所述区域不曝光，显影后，留下该所述区域的刻蚀模板，调节每个所述区域的刻蚀工艺参数，使得每个所述区域刻蚀的深度梯度变化，得到所述表面具有高度梯度的晶圆模板；

步骤S02、在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜，并测量光刻胶膜的膜厚分布；

步骤S03、对所述晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；

步骤S04、根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。

2.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述晶圆模板被划分为2～100个区域。

3.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述区域包括多个曝光单元。

4.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S01中，同一区域内的晶圆模板的表面高度是一致的。

5.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述不同区域的晶圆模板的表面高度范围为

6.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S02中，所述光刻胶膜的膜厚按划分区域渐变，且膜厚的渐变范围为

7.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述晶圆模板上形成的光刻胶膜的厚度范围为

8.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S02中，形成在晶圆模板上的光刻胶膜可去除。

9.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S02中，采用膜厚测量仪测量光刻胶膜的膜厚分布。

10.根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，所述步骤S03中，采用线宽测量扫描电镜测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸。