[发明专利]用于处理含氧半导体主体的方法

权利要求书

1.一种用于处理硅晶片的方法，包括：

通过第一热处理降低第一区中的硅晶片中的氧浓度，所述第一区邻接所述硅晶片的第一表面；

通过经由所述第一表面向所述晶片中注入颗粒，至少在位于邻接所述第一区的第二区中的所述晶片的晶格中生成空位；以及

通过第二热处理在所述第二区中形成氧沉淀。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理中的温度高于1000℃。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理的持续时间大于1小时。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理的持续时间大于4小时。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一热处理之前，测量所述第一区中的所述氧浓度；以及

基于所述测量，调节所述第一热处理的温度和所述第一热处理的持续时间中的至少一个。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理被配置为将所述第一区中的所述氧浓度降至6E17cm^-3以下。

7.如权利要求1所述的方法，

其中所述第一热处理被配置为将所述第一区中的所述氧浓度降至5E17cm^-3以下。

8.如权利要求1所述的方法，

其中所述第一热处理被适配为形成具有从所述第一表面来看的在2-15μm之间的深度的所述第一区。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述颗粒包括质子和氦原子中的至少一种。

10.如权利要求1所述的方法，其中注入所述颗粒包括以5E13cm^-2和1E15cm^-2之间的剂量注入所述颗粒。

11.如权利要求1所述的方法，其中生成空位包括生成浓度在1E17cm^-3和1E19cm^-3之间的空位。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第二热处理中的温度选自700℃和1050℃之间的范围。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二热处理的持续时间在1小时和30小时之间。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二热处理包括：

将至少所述第二区加热至750℃和850℃之间的温度并持续1小时至10小时，以及

将至少所述第二区加热至950℃和1100℃之间的温度并持续10小时至20小时。

15.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第二热处理之前，在位于第三区中的所述晶片的晶格中生成空位，所述第三区邻接与所述第一表面相对的第二表面。

16.如权利要求15所述的方法，其中在所述第三区中生成空位包括向所述第二表面中注入颗粒和在含氮气氛中对所述第二表面进行热处理中的至少一种。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括：

在所述含氮气氛中的所述热处理之前，在所述第一表面上形成保护层。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述保护层是氧化物层。

19.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一表面上形成外延层。