[发明专利]对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用途

权利要求书

1.一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)，包含：

p型半导体基板；

至少一个井；

第一植入区，其属于第一类型且用于对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)的射极，该第一植入区位于该至少一个井的其中一者中，以及该第一类型为n型与p型的其中一者；

第二植入区，其属于与该第一类型相反的第二类型且用于该SLBJT的基极，该第二植入区位于该至少一个井中且在该基极的第一侧与该射极以一距离隔开；

第三植入区，其属于该第一类型且用于该SLBJT的集极，该第三植入区位于该至少一个井中且在该基极与该第一侧相反的第二侧与该基极以该距离隔开；以及

p型植入区，其用于电气耦合至该基板，该p型植入区位于该至少一个井外。

2.根据权利要求1所述的SLBJT，进一步包含耦合至该基板的p型增高半导体结构，其中，该至少一个井、该SLBJT及该基板植入区位于该增高结构中。

3.根据权利要求2所述的SLBJT，其中，该至少一个井包含n型井，其中，该射极、该集极及该基板的接点各包含在该各自植入区上方的p型外延材料，其中，该基极包含在该第二植入区上方的n型外延材料，以及其中，用于该射极、基极及集极的该第一、第二及第三植入区位于该n型井中。

4.根据权利要求2所述的SLBJT，其中，该至少一个井包含在n型井内的p型井以及在该p型井及n型井下面的三重n型井，其中，该射极及该集极各包含在各自植入区上方的n型外延材料，其中，该基极与用于该基板的接点各包含在该各自植入区上方的p型外延材料，以及其中，用于该射极、基极及集极的该第一、第二及第三植入区位于该p型井中。

5.根据权利要求1所述的SLBJT，其中，该至少一个井包含n型井，其中，该n型井与用于该基板的该植入区位于该基板中，以及其中，该第一植入区、该第三植入区及该基板植入区各包含p型植入物，以及该第二植入区包含n型植入物。

6.根据权利要求1所述的SLBJT，其中，该至少一个井与该基板的该植入区位于该基板中，其中，该至少一个井包含在n型井内的p型井以及在该p型井及n型井下面的三重n型井，其中，该第一植入区与该第三植入区各包含n型植入物，以及其中，该第二植入区与基板植入区各包含p型植入物。

7.根据权利要求1所述的SLBJT，其中，该距离包含0.2微米至5微米。

8.根据权利要求1所述的SLBJT，其中，所述植入区各具有0.1微米至3微米的深度。

9.根据权利要求1所述的SLBJT，其中，该SLBJT的崩溃电压为9伏特与12伏特的其中一者。

10.一种晶体管保护电路，包含：

包含栅极的测试晶体管；以及

根据权利要求1-9中任一项所述的对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)，其中，该射极电气耦合至该测试晶体管的该栅极。