[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 201510549178.6 | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105405851B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 吴锦美;李正一 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管连接至在基板上的栅极线和数据线使得所述栅极线与所述数据线彼此交叉;以及
光阻挡膜,所述光阻挡膜在所述基板上与所述薄膜晶体管的有源层交叠,其中
所述数据线设置在与所述光阻挡膜相同的平面上,
其中所述薄膜晶体管的漏极接触电极直接连接至所述光阻挡膜;以及所述薄膜晶体管基板还包括像素电极,所述像素电极连接至所述薄膜晶体管的漏极接触电极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括:
公共电极,所述公共电极用于与所述像素电极一起产生电场;以及
多层绝缘膜,所述多层绝缘膜在所述公共电极与所述数据线之间,其中
所述多层绝缘膜包括:
在所述基板上的缓冲层,所述缓冲层覆盖所述光阻挡膜和所述数据线;
在所述缓冲层上的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜覆盖所述有源层;以及
在所述栅极绝缘膜上的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述薄膜晶体管的栅电极。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,还包括:
在所述层间绝缘膜上的第一钝化膜,所述第一钝化膜覆盖所述公共电极;
在所述第一钝化膜上的触摸感测线,所述触摸感测线用于将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动;以及
覆盖所述触摸感测线的第二钝化膜,
其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极通过穿过所述第一钝化膜、所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的漏极接触孔连接至设置在所述基板上的所述光阻挡膜和所述有源层的漏极区,以及
所述薄膜晶体管的源极接触电极通过穿过所述第一钝化膜、所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的源极接触孔连接至设置在所述基板上的数据线和所述有源层的源极区。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,还包括:
在所述公共电极上的触摸感测线,所述触摸感测线直接接触所述公共电极,所述触摸感测线将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动;以及
在所述层间绝缘膜上的钝化膜,所述钝化膜覆盖所述公共电极和所述触摸感测线,
其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极通过穿过所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的漏极接触孔连接至设置在所述基板上的所述光阻挡膜和所述有源层的漏极区,并且
所述薄膜晶体管的源极接触电极通过穿过所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的源极接触孔连接至设置在所述基板上的所述数据线和所述有源层的源极区。
5.一种薄膜晶体管基板,包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管连接至在基板上的栅极线和数据线使得所述栅极线与所述数据线彼此交叉;
光阻挡膜,所述光阻挡膜在所述基板上与所述薄膜晶体管的有源层交叠;
连接至所述薄膜晶体管的漏极接触电极的像素电极;
公共电极,所述公共电极用于与所述像素电极一起产生电场;以及
多层绝缘膜,所述多层绝缘膜在所述公共电极与所述数据线之间,所述多层绝缘膜至少包括由有机材料制成的单层钝化膜,其中
所述数据线设置在与所述光阻挡膜相同的平面上,以及
其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极直接连接至所述光阻挡膜。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板,其中所述多层绝缘膜包括:
在所述基板上的缓冲层,所述缓冲层覆盖所述光阻挡层和所述数据线;
在所述缓冲层上的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜覆盖所述有源层;
在所述栅极绝缘膜上的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述薄膜晶体管的栅电极;以及
所述钝化膜,所述钝化膜由所述有机材料制成并且设置在所述层间绝缘膜上。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板,还包括:
触摸感测线,所述触摸感测线用于将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动,其中
所述触摸感测线在所述公共电极上或者在所述公共电极之下以直接接触所述公共电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的