[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510549178.6 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN105405851B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 吴锦美;李正一 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管基板,包括:

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管连接至在基板上的栅极线和数据线使得所述栅极线与所述数据线彼此交叉;以及

光阻挡膜,所述光阻挡膜在所述基板上与所述薄膜晶体管的有源层交叠,其中

所述数据线设置在与所述光阻挡膜相同的平面上,

其中所述薄膜晶体管的漏极接触电极直接连接至所述光阻挡膜;以及所述薄膜晶体管基板还包括像素电极,所述像素电极连接至所述薄膜晶体管的漏极接触电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括:

公共电极,所述公共电极用于与所述像素电极一起产生电场;以及

多层绝缘膜,所述多层绝缘膜在所述公共电极与所述数据线之间,其中

所述多层绝缘膜包括:

在所述基板上的缓冲层,所述缓冲层覆盖所述光阻挡膜和所述数据线;

在所述缓冲层上的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜覆盖所述有源层;以及

在所述栅极绝缘膜上的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述薄膜晶体管的栅电极。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,还包括:

在所述层间绝缘膜上的第一钝化膜,所述第一钝化膜覆盖所述公共电极;

在所述第一钝化膜上的触摸感测线,所述触摸感测线用于将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动;以及

覆盖所述触摸感测线的第二钝化膜,

其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极通过穿过所述第一钝化膜、所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的漏极接触孔连接至设置在所述基板上的所述光阻挡膜和所述有源层的漏极区,以及

所述薄膜晶体管的源极接触电极通过穿过所述第一钝化膜、所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的源极接触孔连接至设置在所述基板上的数据线和所述有源层的源极区。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,还包括:

在所述公共电极上的触摸感测线,所述触摸感测线直接接触所述公共电极,所述触摸感测线将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动;以及

在所述层间绝缘膜上的钝化膜,所述钝化膜覆盖所述公共电极和所述触摸感测线,

其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极通过穿过所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的漏极接触孔连接至设置在所述基板上的所述光阻挡膜和所述有源层的漏极区,并且

所述薄膜晶体管的源极接触电极通过穿过所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述缓冲层的源极接触孔连接至设置在所述基板上的所述数据线和所述有源层的源极区。

5.一种薄膜晶体管基板,包括:

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管连接至在基板上的栅极线和数据线使得所述栅极线与所述数据线彼此交叉;

光阻挡膜,所述光阻挡膜在所述基板上与所述薄膜晶体管的有源层交叠;

连接至所述薄膜晶体管的漏极接触电极的像素电极;

公共电极,所述公共电极用于与所述像素电极一起产生电场;以及

多层绝缘膜,所述多层绝缘膜在所述公共电极与所述数据线之间,所述多层绝缘膜至少包括由有机材料制成的单层钝化膜,其中

所述数据线设置在与所述光阻挡膜相同的平面上,以及

其中所述薄膜晶体管的所述漏极接触电极直接连接至所述光阻挡膜。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板,其中所述多层绝缘膜包括:

在所述基板上的缓冲层,所述缓冲层覆盖所述光阻挡层和所述数据线;

在所述缓冲层上的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜覆盖所述有源层;

在所述栅极绝缘膜上的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述薄膜晶体管的栅电极;以及

所述钝化膜,所述钝化膜由所述有机材料制成并且设置在所述层间绝缘膜上。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板,还包括:

触摸感测线,所述触摸感测线用于将相邻的子像素的公共电极互连,使得所述公共电极作为触摸感测电极被驱动,其中

所述触摸感测线在所述公共电极上或者在所述公共电极之下以直接接触所述公共电极。

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