[发明专利]一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法

说明书

技术领域

本发明属于明导电氧化物薄膜制备领域，特别涉及一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法。

背景技术

人类在生活和生产中所使用的能源主要来自煤、石油、天然气等化石燃料。随着社会的发展对能源的需求越来越大，石油等化石燃料的逐渐枯竭以及环境污染等问题日益严重，太阳能因其具有分布广泛、取之不尽、用之不竭的优点，并且对环境无污染，因此它的开发与利用逐渐受到人们重视。

在光伏产业中，晶硅太阳能电池占据了光伏市场80％的份额，占据着光伏市场的主导地位。然而晶硅太阳能电池的光电转换效率并不理想，晶硅材料中存在的杂质、缺陷和表面态，成为少数载流子的复合中心，晶硅表面的复合损失会极大地影响太阳能电池的效率。太阳能电池的发电效率很大程度上取决于进入太阳能电池内部的太阳光能量，因此为最大程度地提高薄膜太阳能电池的光电转换效率，就必须尽可能减少进入薄膜太阳能电池内的太阳光的损失，提高电池对太阳光的吸收利用，因此提高前电极透明导电膜的太阳光透过率意义重大。掺铝氧化锌(AZO)相对于ITO、FTO，AZO具有更优秀的红外透过率，且其自然资源丰富，生产工艺简单，成本低，无毒性，性能稳定。采用AZO作为薄膜太阳能电池的前电极，可以明显提高近红外、远红外波段的太能能量透过率，有效提高薄膜太阳能电池的光电转化效率。

目前，AZO薄膜的制备方法有溶胶-凝胶法、真空蒸镀法和脉冲激光沉积法。其中，溶胶-凝胶法需要多次重复涂膜、预烧，费时费力，成膜效率低。真空蒸镀就是将需要制成薄膜的物质放于真空室中进行蒸发或升华,使之在基片表面上析出；真空蒸镀中真空度的高低直接影响薄膜的结构和性能，真空度低，材料受残余气体分子污染严重，薄膜性能变差。采用脉冲激光沉积法沉沉积速度慢，成膜质量差且需要特殊的设备和高真空，生产成本高，不利于大规模工业化。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，该方法所得薄膜梯度均匀，单晶取向好，具有优良的光、电性能，同时该方法成本低廉，可适用于工艺大规模生产。

本发明的技术解决方案是：

一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，其具体步骤如下：

1)清洗

以单晶硅作为基片，对单晶硅基片进行清洗；

2)靶材和基片安装

溅射使用的靶材为ZnO靶和Al靶，氧化锌靶安装在磁控溅射设备的射频靶上，铝靶安装在磁控溅射设备的直流靶上，同时在磁控溅射设备的真空室顶部的样品台安装单晶硅基片；

3)溅射沉积

采用共溅射法制备梯度AZO薄膜，首先将真空室抽成高真空，本底真空度到2×10^-4Pa～5×10^-4Pa，基片加热至200℃～400℃，充入溅射气体高纯氩气20sccm～30sccm和氧气0sccm～7sccm混合气，工作气压调0.4Pa～0.8Pa，开始镀膜；镀膜过程中，样品台转动速率为10rad/min～15rad/min，调节ZnO靶材的溅射功率为180W～200W，ZnO靶材的功率保持不变，Al靶材的初始溅射功率为25W～60W，Al的初始掺杂量为40％～60％；Al靶材的功率在整个镀膜过程中不断变化，变化规律随着溅射沉积薄膜厚度的不断增加，Al靶材的功率减小，溅射沉积薄膜厚度每增加8nm～10nm，调节一次功率，当Al靶材的功率低于12W时，在铝靶靶面上用挡板将铝靶靶面部分用遮盖，通过调节Al靶材上面的档板，来进一步降低靶材的溅射功率至6W～4W，制得梯度AZO薄膜。

步骤3)将铝靶靶面部分遮盖时，遮盖部分的面积占靶面面积比例≤2/3，使Al靶材的功率最低可降低至6W～4W，Al的掺杂量减少到3％。

Al靶材的功率每次减小2W～5W。

Al的掺杂量每次减少4％～6％。

所述氩气和氧气的体积比1:0～9:1。

对单晶硅基片进行清洗时，先在丙酮中超声清洗10min～20min，再在无水乙醇中清洗10min～20min，最后用去离子水冲洗干净，烘干。

真空室顶部装载单晶硅基片装载过程中，确保基片表面的整洁。

所述ZnO靶的纯度为99.99％，所述Al靶的纯度为99.999％。

本发明的有益效果是：