[发明专利]一种黑硅钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于原子层沉积法钝化黑硅的结构，其特征在于这个钝化结构是结合在硅片表面采用液相技术制备极薄的氧化硅薄膜和原子层沉积法制备的氧化铝薄膜构成的双层结构。

2.一种用于原子层沉积法钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于该制备方法包括如下步骤：

(1)、对黑硅片表面进行标准清洗工艺，保持硅片表面清洁；

(2)、将黑硅片在溶液中进行预处理，得到极薄的氧化硅层。

(3)、采用ALD技术在预处理后的黑硅表面沉积氧化铝薄膜进行钝化。

(4)、采用RTP技术对钝化后的黑硅进行退火处理。

3.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积法钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：所述硅片电阻率1-3Ω·cm，厚度200±20μm，为单晶硅或多晶硅。

4.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：所述工艺中所用试剂均为分析纯。

5.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：第(1)步中所述黑硅片不局限于其制备方法，MACE法或RIE法等制备方法均适用。

6.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：第(2)步中所述溶液组成为H₂SO₄+H₂O₂(3∶1)或者HNO₃(69％)∶H₂O＝1∶3或者超纯水，反应时间在30min-120min。

7.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：第(3)步中所述ALD工艺，铝源采用三甲基铝，氧源采用H₂O，沉积周期采用200-800循环，沉积温度180℃。

8.根据权利要求2所述一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，其特征在于：第(4)步中所述RTP工艺，退火温度400-600℃，退火时间5-20min。