[发明专利]一种多晶黑硅结构及其液相制备方法

权利要求书

1.一种用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于该结构是通过金属辅助化学腐蚀法结合NSR溶液扩孔获得的纳米级均匀分布的倒金字塔结构，在具备减反射效果的同时易于钝化，用于制备多晶黑硅太阳电池，该制备方法包括如下步骤：

(1)、对多晶硅片表面进行清洗，将所述多晶硅片表面浸入溶液一中沉积一层银纳米颗粒，纳米颗粒大小为50nm左右，溶液温度为室温；

(2)、将沉积完银纳米颗粒的多晶硅片浸入溶液二中进行腐蚀，得到孔径50-100nm，孔深500nm的纳米孔洞结构多晶黑硅片，溶液温度为室温；

(3)、将腐蚀完的多晶黑硅片浸入溶液三中进行清洗，去除残留银纳米颗粒，溶液温度为室温；

(4)、将制备好的多晶黑硅片浸入NSR溶液中腐蚀扩孔；NSR溶液的组成为40％NH₄F∶H₂O₂＝1∶1-1∶4，浓度为50％-100％，反应温度为30-60℃，反应时间为60-600s；制备得到边长100-500nm，深度100-500nm的均匀分布的倒金字塔多晶黑硅结构。

2.根据权利要求1所述用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的多晶硅片电阻率为1-3Ω·cm，厚度为200±20μm。

3.根据权利要求1所述用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于：步骤(1)至步骤(4)所用溶液的化学试剂纯度均不小于99.99％。

4.根据权利要求1所述用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于：步骤(1)中溶液一的化学试剂组成为0.001-0.02M AgNO₃+0.1-10M HF，反应时间为10-60s。

5.根据权利要求1所述用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于：步骤(2)中溶液二的化学试剂组成为0.1-1M H₂O₂+1-10M HF，反应时间为30-300s。

6.根据权利要求1所述用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于：步骤(3)中溶液三的化学试剂组成为H₂O₂∶NH₄OH＝1∶3，反应时间为180s。