[发明专利]一种高品质因数电容制造方法

权利要求书

1.一种高品质因数电容制造方法，其特征包括：该制造方法至少包括以下步骤：

A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；

B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；

C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；

D.在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；

E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；

F.去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板，释放电容结构。

2.根据权利要求1所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述步骤A中具体包括以下步骤：a).选择<100>晶向硅基板先进行表面预处理；

b).对该硅基板的正反两面进行氧化形成氧化硅掩模层；

c).通过光刻显影干法刻蚀在硅基板的反面形成腐蚀窗口。

3.根据权利要求1所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述步骤B是采用KOH或TMAH碱性溶液腐蚀出水平面上的投影面积略大于上电极或/和下电极在水平面上的投影面积的深坑结构，该深坑结构的深度为硅基板厚度减去30～100um。

4.根据权利要求1所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述步骤C具体包括以下步骤:a)溅射一层金属，光刻出第一层金属图形，形成第一金属层；

b)以光刻胶作掩膜，通过离子束刻蚀工艺图形化形成电容下电极，然后去除光刻胶。

5.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤D具体包括以下步骤：采用PECVD沉积SiN或SiO2材料，形成厚度为0.1～0.3um的介质层。

6.根据权利要求4所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述步骤a)中溅射的金属层材料选用TiW/Cu、Ti/Cu或铝。

7.根据权利要求1所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述步骤F具体包括以下步骤：采用深反应离子或XeF₂各向同性刻蚀气体将深坑结构底部剩余的一层薄硅基板刻蚀掉。

8.根据权利要求4或6所述的高品质因数电容制造方法，其特征在于；所述金属层厚度为0.1～1um，优选为0.5um。