[发明专利]一种太阳电池发射极的制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池发射极的制备方法，包括：

A)将硅片进行制绒、扩散与刻蚀处理，得到预处理的硅片；

B)利用臭氧氧化预处理的硅片，在表面形成氧化层，然后利用氢氟酸溶液去除氧化层，得到太阳电池发射极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为0.5～10nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)中氢氟酸溶液的质量浓度为5％～15％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除氧化层的时间为1～10min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述臭氧氧化为将臭氧高压电离后在预处理的硅片表面进行氧化。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述臭氧氧化为在预处理的硅片表面形成臭氧，再用紫外灯进行照射。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述照射的时间为1～30min。