[发明专利]一种具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器有效
| 申请号： | 201510556238.7 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105044844B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 余学才;李林松;马朝阳;何传王 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/24 | 分类号： | G02B6/24;G02B6/26;H01L31/0232;G02B6/12 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸收层 耦合层 波导模式 对称结构 耦合波导 探测器 高阶 上波导层 下波导层 波导层 波导 超模 波导结构 叠加组合 对称排布 计算模型 局部过热 光电流 位置处 引入 衬底 光场 还原 烧毁 对称 修正 | ||
1.一种具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，包括在衬底上自下而上依次为下吸收层、下波导层、下耦合层、中波导层、上耦合层、上波导层和上吸收层；相邻的所述下吸收层、下波导层、下耦合层与相邻的所述上耦合层、上波导层和上吸收层相对于中波导层对称排布；所述下波导层、中波导层和上波导层的材料相同，为InxGa1-xAsyP1-y。
2.根据权利要求1所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，探测器中光波导结构的工作波长为0.8～2μm。
3.根据权利要求1或2所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下耦合层和上耦合层材料的折射率低于上波导层、中波导层和下波导层材料的折射率。
4.根据权利要求3所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下耦合层和上耦合层材料为InP。
5.根据权利要求1所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下吸收层和上吸收层材料为InxGa1-xAs。
6.根据权利要求1或2所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下波导层和上波导层的厚度相同。
7.根据权利要求1或2所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下波导层的厚度为2.95～3.05μm；所述中波导层的厚度为2.75～2.85μm；所述上波导层的厚度为2.95～3.05μm。
8.根据权利要求4所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下耦合层和上耦合层的厚度为0.085～0.095μm。
9.根据权利要求1或5所述的具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，所述下吸收层和上吸收层的厚度为低于0.3μm。
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