[发明专利]一种阵列基板及OLED显示面板、显示装置在审
申请号: | 201510556332.2 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105070741A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 储浩;胡静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/015 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及OLED显示面板、显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,简称OLED)显示面板具有自发光、低功耗、无视角死角、响应快、高对比度等优点,与液晶显示面板相比具有很强的竞争力。因此,被认为是今后显示面板的主流发展趋势。
对于顶发射OLED显示面板,如图1所示,其阵列基板01包括设置在衬底基板10上且位于非发光区03的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)11、与薄膜晶体管的漏极电连接且位于发光区02的阳极12、设置在所述阳极12上方的有机发光层13、设置在所述有机发光层13上方的阴极14。其中,阳极12不透明,阴极14透明。
其工作原理为:有机发光层13发出的光一方面从透明的阴极14出射,另一方面到达不透明的阳极12后,经阳极12反射从透明的阴极14出射。
然而,由于从有机发光层13发出的光并不都是垂直于衬底基板10的,因而导致有部分光会射向非发光区,并被非发光区的金属结构例如薄膜晶体管11、信号线等反射后射出,从而导致显示对比度下降,影响显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及OLED显示面板,可改善现有技术中存在的显示对比度下降的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种阵列基板,包括发光区和非发光区,所述发光区包括设置在衬底基板上的阳极、有机发光层和阴极,所述非发光区包括设置在所述衬底基板上的金属结构;所述阵列基板还包括设置在所述非发光区的第一吸光层,所述第一吸光层用于吸收所述有机发光层射到所述非发光区的光;其中,所述阴极透光,所述阳极透光或不透光。
优选的,所述第一吸光层设置在所述金属结构与所述阳极之间。
优选的,所述非发光区包括第一非发光区;所述金属结构包括位于所述第一非发光区的薄膜晶体管的栅极、源极和漏极、与所述薄膜晶体管的栅极相连的栅线、与所述薄膜晶体管的源极相连的数据线;所述第一吸光层位于所述第一非发光区。
基于上述,可选的,所述阳极包括第一透明导电层、第二透明导电层、以及位于二者之间的不透明金属层。
进一步优选的,所述阴极为半透明。
可选的,所述阳极的材料为透明导电材料。
进一步优选的,所述阵列基板还包括设置在所述非发光区的第二吸光层,且所述第二吸光层位于所述金属结构与所述衬底基板之间,或者位于所述衬底基板远离所述金属结构一侧。
进一步优选的,在所述非发光区包括第一非发光区的情况下,所述第二吸光层位于所述第一非发光区。
优选的,所述第一吸光层和所述第二吸光层的材料均为黑矩阵材料。
另一方面,提供一种OLED显示面板,包括上述的阵列基板。
再一方面,提供一种显示装置,包括上述OLED显示面板。
本发明实施例提供一种阵列基板及OLED显示面板,通过设置所述第一吸光层,可以吸收有机发光层射到非发光区的光,从而可以避免这些光经金属结构反射而从非发光区射出,因此可改善现有技术中存在的显示对比度下降的问题。此外,所述第一吸光层还可以吸光射向非发光区的外界环境光,从而避免外界环境光被金属结构反射后射出,因而可以进一步的增加显示对比度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图;
图2b为图2a中A-A’向剖视示意图;
图2c为在图2a的基础上提供的一种第一吸光层的结构示意图;
图2d为在图2a的基础上提供的另一种第一吸光层的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
附图标记:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的