[发明专利]栅极驱动电路、显示面板关机方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201510556537.0 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105185289B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 董殿正;张斌;宋嘉嘉;张强;王光兴;张衎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 显示 面板 关机 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种栅极驱动电路、显示面板关机方法、显示面板及显示装置。
背景技术
现有显示面板在关机时,一般执行Xao动作,即:驱动单元会向所有栅线输出开启电压,使所有像素中的薄膜晶体管开启;这样可以将像素内的电荷完全释放,避免因电荷长期存在而产生直流效应,导致残像、闪烁(Flicker)等问题。
具体地,在显示面板关机时,其工作信号(即Vin信号)的电压值逐步降低。电压侦测模块(一般称为Xao模块或Xon模块)侦测驱动单元根据Vin信号而输出的驱动电压(其电压值等同于Vin信号),当所述驱动电压降低至预定值时,将一高电压信号(即VGH信号)输入至驱动单元,驱动单元根据所述VGH信号生成驱动信号(其电压值等同于VGH信号),所述驱动信号输入到与驱动单元连接的各栅线中,将各行薄膜晶体管的栅极打开,从而使各像素内的电荷释放。
但在实际中,在显示面板关机时会存在以下问题:
首先,在执行Xao动作前,大部分薄膜晶体管的栅极的电压为VOFF,其电压值一般为﹣8V左右,而在执行Xao动作时,其栅极电压会被提升至VGH,大约为30V;显然,如图1所示,在Xao动作的瞬间,薄膜晶体管栅极的电压变化较大(参见图1中的Gate信号变化),这样会产生较大的冲击电流(即图1中Ion),容易导致导线端子(Lead)烧毁。
其次,如图2所示,由于输入至驱动单元的电压变化范围大(由Vin变为VGH),Vin信号会出现反弹(参见图2中被椭圆虚线圈出的部分);这样,在关机时,Xao模块会多次侦测到预定电压值,使Xao动作被多次、反复执行,在该过程中,会产生多个大的冲击电流(如图2中的Ion和Ioff),进一步增加导线端子被烧毁的几率和风险。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种栅极驱动电路、显示面板关机方法、显示面板及显示装置,其可以降低关机时的冲击电流,避免导线端子烧毁,以及避免第一工作信号在关机时发生反弹,进而避免Xao动作被反复多次执行。
为实现本发明的目的而提供一种栅极驱动电路,包括信号输入单元和驱动单元;所述信号输入单元用于向驱动单元输入信号,其包括输出第一工作信号的输入信号端和输出第一高电压的第一高电压端;所述驱动单元与显示面板中各薄膜晶体管的栅极连接,其用于根据所述信号输入单元输入的信号,生成驱动信号,输入各薄膜晶体管的栅极,使所述薄膜晶体管开启或关闭;所述栅极驱动电路还包括选择单元,所述选择单元连接在所述信号输入单元和驱动单元之间,用于将所述输入信号端与驱动单元选通,或者将所述第一高电压端与所述驱动单元选通;在显示面板关机的第一阶段,所述选择单元将所述输入信号端与所述驱动单元选通,所述驱动单元根据所述第一工作信号生成与所述第一工作信号相同的驱动信号,输入到各薄膜晶体管的栅极中,拉升各栅极的电压至第一工作信号;在显示面板关机的第二阶段,所述选择单元将所述第一高电压端与所述驱动单元选通,所述驱动单元根据所述第一高电压生成与所述第一高电压相同的驱动信号,输入到各薄膜晶体管的栅极中,进一步拉升各栅极的电压至第一高电压。
其中,所述选择单元包括第一电压侦测模块、第二电压侦测模块、第一工作信号选通模块和第一高电压选通模块;在显示面板关机时,所述第一电压侦测模块和第二电压侦测模块分别侦测所述第一工作信号的电压值是否降低至其各自的侦测电压,其中,第一电压侦测模块的侦测电压大于第二电压侦测模块的侦测电压;在所述第一电压侦测模块侦测到第一工作信号的电压值降低到其侦测电压时,所述第一工作信号选通模块将所述输入信号端与所述驱动单元选通;在所述第二电压侦测模块侦测到第一工作信号的电压值进一步降低至其侦测电压时,所述第一高电压选通模块将所述第一高电压端与驱动单元选通。
其中,所述第一电压侦测模块还与所述驱动单元连接。
其中,所述第一工作信号选通模块包括第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管为N型晶体管,其控制极与所述第二电压侦测模块连接,源极与输入信号端连接,漏极与第二晶体管的源极连接;所述第二晶体管为P型晶体管,其控制极与所述第一电压侦测模块连接,漏极与驱动单元连接。
其中,所述第一高电压选通模块包括第四晶体管;所述第四晶体管为P型晶体管,其控制极与所述第二电压侦测模块连接,源极与第一高电压端连接,漏极与驱动单元连接。
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