[发明专利]具有两个独立控制电压泵的存储器架构

权利要求书

1.一种存储器架构，其特征在于，包含：

非易失性存储器单元的阵列；

一对独立控制电压泵，所述电压泵耦合以用于在程式化与抹除操作期间供应正偏压和负偏压给存储器阵列，如此一来该正偏压和该负偏压之量的总和会施加跨越于经存取的存储器单元的储存节点上；用于储存可程式化值的多个暂存器，所述可程式化值由所述电压泵使用以独立控制该正偏压与该负偏压的量；

系统效能控制器SPC，该系统效能控制器SPC耦合以用于决定与设定储存在所述多个暂存器内的可程式化值；以及

控制机制，该控制机制耦合至所述电压泵以用于控制该正偏压与该负偏压的持续时间。

2.如权利要求1所述的存储器架构，其特征在于，该系统效能控制器SPC独立选定用于预先程式化、抹除与程式化的每一操作的可程式化值。

3.如权利要求2所述的存储器架构，其特征在于，该系统效能控制器SPC根据从温度感测器接收的温度量测来调整该可程式化值。

4.如权利要求1所述的存储器架构，其特征在于，该系统效能控制器SPC进一步耦合以供应泵赋能讯号给该控制机制，及其中该泵赋能讯号的持续时间控制该正偏压与该负偏压的持续时间。

5.如权利要求4所述的存储器架构，其特征在于，该系统效能控制器SPC独立选定用于预先程式化、抹除与程式化的每一操作的泵赋能讯号的持续时间。

6.如权利要求1所述的存储器架构，其特征在于，该非易失性存储器单元中的每一者包含具有栅极端、漏极端、源极端与井区端的储存电晶体。

7.如权利要求6所述的存储器架构，其特征在于，在抹除操作期间，施加负偏压到经存取的存储器单元的储存电晶体的栅极端，施加正偏压到经存取的存储器单元的储存电晶体的漏极端、源极端与井区端。

8.如权利要求7所述的存储器架构，其特征在于，在抹除操作期间，施加正偏压到所有非选定存储器单元内的储存电晶体的栅极端。

9.如权利要求6所述的存储器架构，其特征在于，在程式化操作期间，施加正偏压到经存取的存储器单元的储存电晶体的栅极端，施加负偏压到经存取的存储器单元的储存电晶体的漏极端、源极端与井区端。

10.如权利要求9所述的存储器架构，其特征在于，在程式化操作期间，施加负偏压到所有非选定存储器单元内的储存电晶体的栅极端，同时施加禁止偏压到所有非选定存储器单元内的储存电晶体的漏极端与源极端。

11.如权利要求6所述的存储器架构，其特征在于，从一个包含SONOS电晶体与浮动栅极电晶体的群组中选定该储存电晶体。

12.如权利要求1所述的存储器架构，其特征在于，进一步包含电压数位至类比转换器VDAC，该电压数位至类比转换器VDAC耦合至所述电压泵以用于接收正偏压VPOS与负偏压VNEG。

13.如权利要求1所述的存储器架构，其特征在于，进一步包含测试介面，该测试介面耦合以用于将该正偏压与该负偏压绕线到该存储器架构外面。