[发明专利]叠层光-热伏太阳能电池在审
申请号: | 201510557066.5 | 申请日: | 2015-09-06 |
公开(公告)号: | CN105140322A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 曾明生 | 申请(专利权)人: | 曾明生 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0687;H01L31/0248 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 郭彩红;韩雪 |
地址: | 643000 四川省自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 叠层光 太阳能电池 | ||
1.一种叠层光-热伏太阳能电池,其特征在于:
选择载流子的类型相异的、或者载流子的密度相异的、或者逸出电势相异的两种或多种导电材料进行相互接触,而在光伏电池的背电极的外部分别构建一个或多个导电材料结,并使所述一个或多个导电材料结中的每一个导电材料结的所在处分别出现的每一个静电场的方向,均与所述光伏电池运行时通过所述每一个静电场所在的导电材料结内部的电流的方向相反;所述一个或多个导电材料结以叠层方式进行排列;所述光伏电池与所述一个或多个导电材料结共同组成所述叠层光-热伏太阳能电池;构建的第一个导电材料结的所述导电材料靠近所述光伏电池的背电极,且与所述光伏电池的背电极在电气上相通;所述每一个导电材料结的所述导电材料,均靠近和该导电材料结相邻的导电材料结的所述导电材料,且均与所述相邻的导电材料结的所述导电材料在电气上相通;在构建的最末尾一个导电材料结的所述导电材料的外表面上,用导电材料形成导电层;把所述导电层作为所述叠层光-热伏太阳能电池的背电极,所述光伏电池原有的顶电极为所述叠层光-热伏太阳能电池的顶电极。
2.根据权利要求1所述的一种叠层光-热伏太阳能电池,其特征在于:
在所述光伏电池背电极的外部,用半导体材料以叠层方式分别构建一个或多个p-n结,所述一个或多个p-n结与所述光伏电池共同组成所述一种叠层光-热伏太阳能电池;构建的第一个p-n结的p型半导体靠近所述光伏电池的背电极;在所述第一个p-n结的n型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,该导电层称为第一个p-n结外设的导电层;构建的第二个p-n结的p型半导体靠近所述第一个p-n结外设的导电层,在所述第二个p-n结的n型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,该导电层称为第二个p-n结外设的导电层;从构建的第三个p-n结起,构建的每一个p-n结的p型半导体均靠近该p-n结后方的、且与该p-n结最相近的那一个p-n结外设的导电层,在该p-n结的n型半导体的外表面上,也均用导电材料形成导电层,该导电层称为该p-n结外设的导电层;把构建的最末尾一个p-n结外设的导电层,作为所述一种叠层光-热伏太阳能电池的背电极;所述光伏电池原有的顶电极也是所述一种叠层光-热伏太阳能电池的顶电极;所述一个或多个p-n结均属于所述导电材料结。
3.根据权利要求1所述的一种叠层光-热伏太阳能电池,其特征在于:
在所述光伏电池背电极的外部,用半导体材料以叠层方式分别构建一个或多个p-n结,所述一个或多个p-n结与所述光伏电池共同组成所述一种叠层光-热伏太阳能电池;构建的第一个p-n结的n型半导体靠近所述光伏电池的背电极;在所述第一个p-n结的p型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,该导电层称为第一个p-n结外设的导电层;构建的第二个p-n结的n型半导体靠近所述第一个p-n结外设的导电层,在所述第二个p-n结的p型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,该导电层称为第二个p-n结外设的导电层;从构建的第三个p-n结起,构建的每一个p-n结的n型半导体均靠近该p-n结后方的、且与该p-n结最相近的那一个p-n结外设的导电层,在该p-n结的p型半导体的外表面上,也均用导电材料形成导电层,该导电层称为该p-n结外设的导电层;把构建的最末尾一个p-n结外设的导电层,作为所述一种叠层光-热伏太阳能电池的背电极;所述光伏电池原有的顶电极也是所述一种叠层光-热伏太阳能电池的顶电极;所述一个或多个p-n结均属于所述导电材料结。
4.根据权利要求1所述的一种叠层光-热伏太阳能电池,其特征在于:
在所述光伏电池背电极的外部,用半导体材料以叠层方式分别构建一个或多个p-n结,所述一个或多个p-n结与所述光伏电池共同组成所述一种叠层光-热伏太阳能电池;构建的第一个p-n结的p型半导体靠近所述光伏电池的背电极;从构建的第二个p-n结起,构建的每一个p-n结的p型半导体均靠近该p-n结后方的、且与该p-n结最相近的那一个p-n结的n型半导体的外表面;在构建的最末尾一个p-n结的n型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,把所述导电层作为所述一种叠层光-热伏太阳能电池的背电极;所述光伏电池原有的顶电极也是所述一种叠层光-热伏太阳能电池的顶电极;所述一个或多个p-n结均属于所述导电材料结。
5.根据权利要求1所述的一种叠层光-热伏太阳能电池,其特征在于:
在所述光伏电池背电极的外部,用半导体材料以叠层方式分别构建一个或多个p-n结,所述一个或多个p-n结与所述光伏电池共同组成所述一种叠层光-热伏太阳能电池;构建的第一个p-n结的n型半导体靠近所述光伏电池的背电极;从构建的第二个p-n结起,构建的每一个p-n结的n型半导体均靠近该p-n结后方的、且与该p-n结最相近的那一个p-n结的p型半导体的外表面;在构建的最末尾一个p-n结的p型半导体的外表面上,用导电材料形成导电层,把所述导电层作为所述一种叠层光-热伏太阳能电池的背电极;所述光伏电池原有的顶电极也是所述一种叠层光-热伏太阳能电池的顶电极;所述一个或多个p-n结均属于所述导电材料结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的