[发明专利]一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法

权利要求书

1.一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，包括以下步骤：

(1)将NiFe/Pt/SiO₂样品置于微带线测试夹具中，启动测试平台，在φ_H为90°时测试样品两端电压随外加静磁场变化的曲线；

(2)将NiFe/Pt/SiO₂样品垂直翻转180°后再置于微带线测试夹具中，此时，薄膜表面向下，基底处于薄膜层的上方，基底与薄膜的界面以及NiFe与Pt的界面保持不变，在样品下方插入一片相同尺寸的SiO₂基片，保证薄膜与翻转前在夹具中所处的位置高度相同，启动测试平台，测试样品两端电压随外加静磁场变化的曲线；

(3)样品翻转后，薄膜中的自旋注入反向，导致步骤(1)和(2)中的曲线呈现相反的变化趋势，将两者相加，即可消去ISHE对电压的贡献值，得到两倍的SRE电压值；

(4)将样品垂直翻转之后的电压曲线减去翻转之前的，即步骤(2)中得到的曲线减去步骤(1)的，则可以消去SRE对电压的贡献值，得到两倍的ISHE电压值，将相减后的曲线除以2，峰值处的电压即为ISHE对电压的最大贡献值的两倍，将此电压再除以2，即可得到逆自旋霍尔电压V_ISHE。

2.如权利要求1所述的一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，其特征在于：NiFe/Pt薄膜的长宽范围为5×1～10×10mm，NiFe的厚度为10～50nm，Pt的厚度为5～20nm，SiO₂的长宽范围为5×5～10×10mm，SiO₂的厚度为0.2～0.5mm。