[发明专利]一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极；所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层中至少有一层掺杂荧光材料；

所述的P型有机半导体层的制备材料为TAPC和TCTA中的一种或两种的共混：

所述的N型有机半导体层的制备材料为TmPyTZ：

所述的荧光掺杂材料为具有以下(a)～(i)分子结构式材料中的一种或两种以上的共混：

2.根据权利要求1所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层为单层或多层。

3.根据权利要求1所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：所述的阳极与P型有机半导体层之间、阴极与N型有机半导体材料之间单独或同时加入一层缓冲层。

4.根据权利要求1所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：所述的衬底为玻璃、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、金属、合金或不锈钢薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：所述的阳极和阴极为金属或者金属氧化物；所述的金属氧化物是指氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管，其特征在于：所述平面异质结敏化的有机荧光发光二极管的发光光谱来源于参杂的荧光材料。

7.权利要求1～6任一项所述的一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

取带有阳极层的衬底材料，然后在阳极层上依次制备P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极层，得到平面异质结敏化的有机荧光发光二极管；所述制备的方法包括热蒸镀、旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、印刷或喷墨打印。