[发明专利]一种用于背钝化太阳电池的叠层膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池

权利要求书

1.一种用于背钝化太阳电池的叠层膜，其特征在于，包括依次复合于硅片表面的第一氧化硅层、第二氧化硅层、氮化硅层和第三氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的叠层膜，其特征在于，所述第一氧化硅层的膜厚为0.5～5nm，折射率为1.46～1.8。

3.根据权利要求1所述的叠层膜，其特征在于，所述第二氧化硅层的膜厚为5～40nm，折射率为1.46～1.8。

4.根据权利要求1所述的叠层膜，其特征在于，所述氮化硅层为由≥1层的氮化硅薄膜复合而成，所述氮化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.9～2.3。

5.根据权利要求1所述的叠层膜，其特征在于，所述第三氧化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.46～1.8。

6.一种用于背钝化太阳电池的叠层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)在经过表面处理的硅片表面氧化形成第一氧化硅层；

B)在所述第一氧化硅层表面沉积第二氧化硅层；

C)在所述第二氧化硅层表面沉积氮化硅层；

D)在所述氮化硅层表面沉积第三氧化硅层，得到用于背钝化太阳电池的叠层膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

步骤A)具体为：

含氧气体在经过表面处理的硅片表面进行氧化反应，得到第一氧化硅层，所述含氧气体选自水蒸气、氧气、臭氧、CO₂或N₂O；

步骤B)具体为：

将SiH₄与含氧气体通入沉积设备，在第一氧化硅层表面进行沉积反应，得到第二氧化硅层，所述含氧气体选自N₂O或CO₂；

步骤C)具体为：

将SiH₄和NH₃通入沉积设备，在所述第二氧化硅层进行沉积反应，得到氮化硅层；

步骤D)具体为：

将SiH₄与含氧气体通入沉积设备，在所述氮化硅层表面进行沉积反应，得到第三氧化硅层，所述含氧气体选自N₂O或CO₂。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述氧化为热氧化、等离子体氧化或臭氧氧化；步骤B)中，采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积；步骤C)中，采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积；步骤D)中，采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积；。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述经过表面处理的硅片为依次经过制绒、扩散、刻蚀和正面镀膜工艺的硅片。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的膜厚为0.5～5nm，折射率为1.46～1.8；

所述第二氧化硅层的膜厚为5～40nm，折射率为1.46～1.8；

所述氮化硅层为由≥1层的氮化硅薄膜复合而成，所述氮化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.9～2.3；

所述第三氧化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.46～1.8。

11.一种背钝化太阳电池，其特征在于，包括：

背面电极、背面电场、叠层膜、局部铝背场、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极；

所述背面电极、背面电场、叠层膜、局部铝背场、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极从下至上依次连接；

所述叠层膜为权利要求1～5提供的用于背钝化太阳电池的叠层膜或权利要求6～10提供的制备方法制备得到的用于背钝化太阳电池的叠层膜。