[发明专利]一种用于背钝化太阳电池的背面复合膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池

权利要求书

1.一种用于背钝化太阳电池的背面复合膜，其特征在于，包括复合于硅片表面的第一氧化硅层，复合于所述第一氧化硅层的氮化硅层和复合于所述氮化硅层的第二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的背面复合膜，其特征在于，所述第一氧化硅层的膜厚为5～40nm，折射率为1.46～1.8。

3.根据权利要求1所述的背面复合膜，其特征在于，所述氮化硅层为由≥1层的氮化硅薄膜复合而成，所述氮化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.9～2.3。

4.根据权利要求1所述的背面复合膜，其特征在于，所述第二氧化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.46～1.8。

5.一种用于背钝化太阳电池的背面复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)在经过表面处理的硅片表面沉积第一氧化硅层；

B)在所述第一氧化硅层表面沉积氮化硅层；

C)在所述氮化硅层表面沉积第二氧化硅层，得到用于背钝化太阳电池的背面复合膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

步骤A)具体为：

将SiH₄与含氧气体通入沉积设备，在经过表面处理的硅片表面进行沉积反应，得到第一氧化硅层，所述含氧气体选自N₂O或CO₂；

步骤B)具体为：

将SiH₄和NH₃通入沉积设备，在所述第一氧化硅层进行沉积反应，得到氮化硅层；

步骤C)具体为：

将SiH₄与含氧气体通入沉积设备，在所述氮化硅层表面进行沉积反应，得到第二氧化硅层，所述含氧气体选自N₂O或CO₂。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积；所述步骤B)采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积；所述步骤C)采用管式PECVD设备或板式PECVD设备进行沉积。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述经过表面处理的硅片为依次经过制绒、扩散、刻蚀和正面镀膜工艺的硅片。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的膜厚为5～40nm，折射率为1.46～1.8；

所述氮化硅层为≥1层的氮化硅薄膜复合而成，所述氮化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.9～2.3；

所述第二氧化硅层的膜厚为20～100nm，折射率为1.46～1.8。

10.一种背钝化太阳电池，其特征在于，包括：

背面电极、背面电场、背面复合膜、局部铝背场、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极；

所述背面电极、背面电场、背面复合膜、局部铝背场、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极从下至上依次连接；

所述背面复合膜为权利要求1～4提供的用于背钝化太阳电池的背面复合膜或权利要求5～9提供的制备方法制备得到的用于背钝化太阳电池的背面复合膜。