[发明专利]一种亚麻悬浮细胞诱变育种的方法在审
申请号: | 201510561008.X | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN105087543A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 王卫国;计巧灵 | 申请(专利权)人: | 新疆大学 |
主分类号: | C12N13/00 | 分类号: | C12N13/00;C12N15/01;A01H4/00 |
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地址: | 830046 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亚麻 悬浮 细胞 诱变 育种 方法 | ||
技术领域
一种亚麻悬浮细胞诱变育种的方法,是细胞工程在植物育种领域中的应用技术,涉及植物细胞工程育种技术领域。
背景技术
植物育种技术被应用于农作物品种改良、中草药材有效成分提高、林果品种改良、观赏花草育种、经济植物如芳香植物及抗菌植物等方面的育种生产中。目前应用最广的是杂交育种技术,该技术十分成熟,历史悠久。随着生命科学与技术的发展与进步,基因育种、细胞工程育种、太空育种等技术也从实验室研究逐步走向实际应用,并取得了传统育种技术难以实现的育种效果,具有良好的发展前景。
发明内容
一种亚麻悬浮细胞诱变育种的方法,是采用悬浮的亚麻胚性单细胞和小细胞团作为诱变对象,用EMS、紫外线、离子束类物理、化学等诱变剂作用于它们,诱导其发生突变,然后在特殊设定胁迫环境下筛选发生特性突变的细胞或细胞团,再经细胞培养技术,获得突变的胚性细胞系,经再分化成苗,试管苗经扩繁培育成具有特殊性状的亚麻种质。
该技术鉴于悬浮细胞多为单细胞起源,受胁迫的选择压力均一,易获得较高的定向突变细胞系,且能大大减少嵌合体的形成,是直接获得同质突变体的理想技术方法;
具体技术方案如下。
1、亚麻种子萌发
选择饱满、完整、大小均匀的亚麻种子,用10%(过氧化氢)H2O2振摇浸泡种子10min,用无菌长勺将种子捞出,不经冲洗直接接入无激素的MS基本固体培养基上,在培养温度为21±3℃、光照周期为14h光/d、光照强度为1500-2500Lux的条件(下述的培养条件相同)下培养7-8天,种子萌发成2-4cm高的无菌苗。
2、建立纤维亚麻胚性细胞悬浮系
以亚麻无菌苗的下胚轴段(1—1.5cm长)为材,在1号固体培养基[MB(NH4NO3减半而KNO3加倍的MS)+0.5mg/LBA+0.5mg/LNAA+3%蔗糖+0.7%琼脂]上培养30—45天,得到愈伤细胞团。转入2号固体培养基[MB+0.5mg/LBA+0.5mg/LKT+3%蔗糖+0.7%琼脂]上培养30天,得到浅黄色结构较松散的愈伤细胞团。
将细胞团转入3号液体培养基[MB+0.2mg/LBA+5%蔗糖]中,900rpm摇床上暗培养,每隔6天换培养基一次,4次换液后,在净化工作台上挑弃肉眼可见的细胞团,采用滴片镜检,保留细胞形状较均匀,多球形,分裂旺盛,内含物丰富的培养物。再换4次液后,调整细胞密度为1.2—1.5g鲜重/25ml,再培养12天后得到胚性细胞系。
3、诱变
在净化台上将胚性细胞移入无菌的离心管,加盖,1000rpm,离心1min,吸弃上清,用含0.1%(甲基磺酸乙酯)EMS的3号培养基悬浮,倒入广口培养瓶,在900rpm摇床上处理6h,然后转入无菌离心管,1000rpm离心1min,吸弃上清,同法洗3次,收集细胞。
4、特定环境下胁迫
4.1例如用含150mmol/L(氯化钠)NaCl的3号培养基悬浮细胞,倒入广口培养瓶,封口后在900rpm摇床上暗培养12h,无菌条件下将细胞悬液倒入离心管,封口,1000rpm离心1min,吸弃上清,用正常3号培养基悬浮细胞,移入广口培养瓶,封口,在900rpm摇床上培养6天,在净化台上静置,吸弃培养液。
4.2例如用含10mmol/L(碳酸氢钠)NaHCO3的3号培养基悬浮细胞,倒入广口培养瓶,封口后在900rpm摇床上暗培养12h,无菌条件下将细胞悬液倒入离心管,封口,1000rpm离心1min,吸弃上清,用正常3号培养基悬浮细胞,移入广口培养瓶,封口,在900rpm摇床上培养6天,在净化台上静置,吸弃培养液。
4.3例如用含24.5mmol/L(聚乙二醇)PEG(渗透压相当于添加100mmol/LNaCl)的3号培养基悬浮细胞,倒入广口培养瓶,封口后在900rpm摇床上暗培养12h,无菌条件下将细胞悬液倒入离心管,封口,1000rpm离心1min,吸弃上清,用正常3号培养基悬浮细胞,移入广口培养瓶,封口,在900rpm摇床上培养6天,在净化台上静置,吸弃培养液。
5、筛选
无菌条件下用无菌长勺将细胞移至盛有4号培养基[MB+0.02mg/L2.4-D+0.2mg/LBA+5%蔗糖+0.7%琼脂]的培养瓶中,在其表面均匀地铺一薄层,封口,在1200—1500Lux光强度,10h光/14h暗的光周期,220C±20C的条件下培养1个月。
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