[发明专利]垂直紫外线发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直紫外线发光装置，所述垂直紫外线发光装置包括：

p型半导体层，包括Al；

有源层，设置在所述p型半导体层上且包括所述Al；

n型半导体层，设置在所述有源层上且包括所述Al；

金属接触层，设置在所述n型半导体层上且掺杂有n型；以及

衬垫，形成于所述金属接触层上，

其中所述金属接触层具有比所述n型半导体层的Al含量低的Al含量。

2.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光装置，其中所述金属接触层的所述Al含量从所述n型半导体层朝向所述衬垫减少。

3.根据权利要求2所述的垂直紫外线发光装置，其中所述金属接触层接触所述衬垫的部分的Al含量为0％。

4.根据权利要求2所述的垂直紫外线发光装置，其中所述金属接触层内Al含量最高的区域等于或小于所述n型半导体层的Al含量。

5.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光装置，其中所述金属接触层的一个表面的表面形成有粗糙度，

所述衬垫形成在其上形成有所述粗糙度的表面上。

6.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光装置，其中所述金属接触层形成于所述n型半导体层的上部区域的一部分上。

7.根据权利要求6所述的垂直紫外线发光装置，还包括：

反射层，插入在所述金属接触层和所述n型半导体层之间。

8.根据权利要求7所述的垂直紫外线发光装置，其中所述反射层包括超晶格层，在所述超晶格层中具有不同折射率的层交替堆叠。

9.根据权利要求7所述的垂直紫外线发光装置，其中所述反射层是由单层构成，所述单层具有比其相邻层的折射率小的折射率。

10.一种用于制造垂直紫外线发光装置的方法，所述方法包括：

将掺杂有n型的金属接触层形成在衬底上；

将包括Al的n型半导体层形成在所述金属接触层上；

将包括所述Al的有源层形成在所述n型半导体层上；

将包括所述Al的p型半导体层形成在所述有源层上；

将所述衬底从所述金属接触层分离；以及

在所述金属接触层的所述衬底从其上分离的表面上形成衬垫。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

对所述金属接触层的所述衬底从其上分离的所述表面进行湿法刻蚀以形成粗糙度，

其中所述衬垫在形成有所述粗糙度的所述表面上形成。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

对所述金属接触层的其上形成有所述衬垫的所述表面进行湿法刻蚀以形成粗糙度。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

对所述金属接触层的所述衬底从其上分离的表面的某些区域进行湿法刻蚀以形成粗糙度，

其中所述衬垫在未形成有所述粗糙度的另一区域中形成。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述金属接触层和所述n型半导体层之间形成反射层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述反射层以分布式布拉格反射器结构形成，在所述分布式布拉格反射器结构中具有不同折射率的各层交替堆叠。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述反射层由单层构成，所述单层具有比其相邻层的折射率小的折射率。