[发明专利]一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于纤维衬底的忆阻器，其特征在于，由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；

所述的柔性纤维衬底I和柔性纤维衬底II由金属涂层纤维构成；

所述忆阻器通过以下方法制备得到：在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器；

所述的隔离层I和隔离层II由TiN、TaN、MoN和WN中的任意一种材料构成；所述的上电极和下电极各自独立地由石墨烯、Cu、Ag、W、Pt、Au、Ta、TaN、Ti、TiN、Pd、导电碳材料、导电有机材料中的任意一种材料构成；

所述的存储介质层薄膜是由NiO、Dy₂O₃、La₂O₃和Gd₂O₃中的任意一种材料构成。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，隔离层I的厚度为20nm～800nm，隔离层II的厚度为20nm～800nm，上电极的厚度为60nm～800nm，存储介质层的厚度为10nm～1000nm，下电极的厚度为100nm～1000nm。

3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，隔离层I和隔离层II通过旋涂、电镀、外延或等离子增强化学气相沉积法沉积得到；上电极和下电极通过外延、化学气相沉积、电子束蒸发、脉冲激光沉积、原子层沉积或者磁控溅射方法沉积得到；存储介质层薄膜通过电镀、外延、电子束蒸发、脉冲激光沉积、磁控溅射方法或者溶胶-凝胶法沉积得到。

4.根据权利要求3所述的忆阻器，其特征在于，隔离层I的厚度为20nm～800nm，隔离层II的厚度为20nm～800nm，上电极的厚度为60nm～800nm，存储介质层的厚度为10nm～1000nm，下电极的厚度为100nm～1000nm。