[发明专利]一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法

权利要求书

1.一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：在硼扩散过程中，首先对硼扩散面上形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，再在硼硅玻璃层上沉积形成氮化硅层；利用硼硅玻璃和氮化硅层作为磷扩散的掩膜，用于防止两次扩散之间的相互掺杂。

2.根据权利要求1所述的一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于包括如下具体步骤：

（1）将原始N型硅片进行清洗，去除表面的损伤层，制绒；

（2）将步骤（1）处理后的硅片面贴面地放置进行单面硼扩散，形成硼扩散极P+层；

（3）在硼扩散推进结束后的降温过程中通入氧气对硼硅玻璃及其与硅片的界面进行氧化，直到降温至790-840℃，硼硅玻璃层厚度为20-80nm；

（4）在氧化后的硼硅玻璃层上沉积一层氮化硅薄膜；

（5）利用槽式制绒设备将硅片的正面进行碱式制绒刻蚀，去除硼扩散过程中在正面形成的绕射扩散层，同时形成良好的正面随机金字塔面；

（6）将（5）中的硅片背靠背进行单面磷扩散，硼硅玻璃层和氮化硅叠层作为磷扩散掩膜；

（7）磷扩散完毕后，利用HF酸或者HF酸与H₃PO₄酸的混合酸去除硼硅玻璃和氮化硅层，在硅片两面形成硼扩散的P+层和磷扩散的N+层。

3.根据权利要求2所述的一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：步骤（2）中进行单面硼扩散采用BBr₃液态源扩散，扩散温度为900～970℃，时间为30～60min。

4.根据权利要求2所述的一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：步骤（3）中通过的氧气的流量为1-10slm，氧化时间为3-40min。

5.根据权利要求2所述的一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：步骤（4）中沉积采用等离子增强化学气相沉积方法。

6.根据权利要求2所述的一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：步骤（4）中沉积温度为430-470℃，SiH₄流量为600-1200sccm，NH₃流量为3600-7200sccm，射频功率为5000-6500W，沉积时间250-750s，厚度为25-70nm，折射率在2.15之上。