[发明专利]基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法

权利要求书

1.基于纳米纤维的非易失性存储器件，其特征在于包括基板、底电极、纳米纤维和顶电极，所述底电极位于基板表面，所述纳米纤维的两端通过顶电极与底电极相连接，所述底电极为Pt/Ag电极矩阵，所述纳米纤维制备好后还滴加了Ag、Zn、Cu、Mg、Fe的硝酸盐或硫酸盐溶液并进行了干燥处理。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于：所述纳米纤维为TiO₂、Fe₂O₃、SnO₂、ZnO、CuO、NiO无机纤维中的一种，所述纳米纤维的结构形式为实心纤维、空心纤维、两腔纤维或多孔纤维。

3.基于有机纤维的非易失性存储器件，其特征在于包括基板、有机纤维、电极，所述有机纤维为涤纶、腈纶、锦纶、丙纶、芳纶、超高分子量聚乙烯纤维、聚对苯撑苯并双恶唑纤维、聚对苯咪唑纤维、聚苯撑吡啶并二咪唑纤维、聚酰亚胺纤维中的一种，其结构形式为实心纤维、空心纤维、两腔纤维或多孔纤维，所述有机纤维位于基板表面，其两端与电极相连接；在该基于有机纤维的非易失性存储器件上还滴加了Ag、Zn、Cu、Mg、Fe的硝酸盐或硫酸盐溶液并进行了干燥处理。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件的制备方法，包括如下步骤：

(1)通过电子束蒸镀法在基板上制备底电极；

(2)通过溶胶-凝胶法和静电纺丝法在所述底电极上制备纳米纤维；

(3)将所述纳米纤维进行退火处理，在其两端引入顶电极；

在步骤(3)制备的纳米纤维上还滴加了Ag、Zn、Cu、Mg、Fe的硝酸盐或硫酸盐溶液并进行了干燥处理。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的底电极为Pt/Ag电极矩阵。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器件的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的静电纺丝法中静电纺丝喷头与接收电极距离为120-200mm，外加电压为20kv，空气相对湿度为60％，微量注射泵的推进速度为180-200μl/h。

7.根据权利要求4所述的非易失性存储器件的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的退火处理升温速率为2-5℃/min，加热至500℃保温2h后自然冷却。