[发明专利]基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器

权利要求书

1.基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器，其特征是该备份型激光器中包含了两个并列的半导体分布反馈激光器，呈并列分布且距离间隔为15微米至50微米；其中每个激光器都是基于重构-等效啁啾技术对取样布拉格光栅结构加入等效相移，并且激光器所使用的激射信道是由该取样光栅结构的+1级子光栅或-1级子光栅提供，通过改变该取样光栅结构的取样周期可以改变+1级和-1级子光栅的位置从而改变激射波长；该等效相移的大小为π/2至3π/2，该相移的位置为在激光器腔内中心区域，具体位置为激光器腔内中心偏左20％腔长至中心偏右20％腔长处；该激光器中的两个激光器结构的取样光栅拥有不同的初始相位，这两个取样光栅的初始相位存在一个固定的差值，从π/2至3π/2。

2.根据权利要求1所述基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器，其特征是在该激光器的取样光栅结构中引入等效切趾结构，通过沿激光器腔长方向改变取样占空比实现切趾，具体为以激光器的高反端为起点向低反端面逐步降低或增加光栅的取样占空比，占空比从0.5线性变化到0.2或0.8，从而增加激光器的单模成品率。

3.根据权利要求2所述基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器，其特征是该等效相移的大小为π。

4.根据权利要求1-3之一所述的基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器的制造方法，其特征是分为两步：第一步为全息曝光的方法制作均匀光栅，第二步为使用设计好的掩膜版通过普通的光刻来制作取样光栅的形状，通过改变取样掩膜版的结构就实现此不同相位的取样光栅；该备份型激光器中包含了两个并列的半导体分布反馈激光器，呈并列分布且距离间隔为15微米至50微米；其中每个激光器都是基于重构-等效啁啾技术对取样布拉格光栅结构加入等效相移，并且激光器所使用的激射信道是由该取样光栅结构的+1级子光栅或-1级子光栅提供，通过改变该取样光栅结构的取样周期可以改变+1级和-1级子光栅的位置从而改变激射波长；该等效相移的大小为π/2至3π/2，该相移的位置为在激光器腔内中心区域，具体位置为激光器腔内中心偏左20％腔长至中心偏右20％腔长处；该激光器中的两个激光器结构的取样光栅拥有不同的初始相位，这两个取样光栅的初始相位存在一个固定的差值，从π/2至3π/2。

5.根据权利要求4所述的基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器的制造方法，其特征是在该激光器的取样光栅结构中引入等效切趾结构，通过沿激光器腔长方向改变取样占空比实现切趾，具体为以激光器的高反端为起点向低反端面逐步降低或增加光栅的取样占空比，占空比从0.5线性变化到0.2或0.8，从而增加激光器的单模成品率。

6.根据权利要求4所述的基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器的制造方法，其特征是将激光器顶部的电极安排为对称结构，即此二激光器的交界线为镜面对称，在不改变电极大小的情况下，增大表面利用率。