[发明专利]一种新型谐振式薄膜热电变换器的结构及制作方法

权利要求书

1.一种新型谐振式薄膜热电变换器，其特征在于：薄膜热电变换器由制作在同一衬底(1)上的加热电阻(2)、微桥谐振器A(3)和微桥谐振器B(4)组成；微桥谐振器A(3)、微桥谐振器B(4)谐振频率的差值反映出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。

2.根据权利要求1所述的谐振式薄膜热电变换器的特征在于：加热电阻(2)和微桥谐振器A(3)、微桥谐振器B(4)制作在同一衬底(1)上，简化了器件制作工艺和封装工艺。

3.根据权利要求1所述的谐振式薄膜热电变换器，其特征在于：采用以下工艺步骤制作并封装：

【a】先后采用热氧化法和低压化学气相淀积法在硅片表面制作二氧化硅(10)和氮化硅薄膜(11)，作为微桥谐振器的结构材料；

【b】低压化学气相淀积方法制作多晶硅薄膜(12)，并在多晶硅薄膜中扩散硼原子，光刻与刻蚀工艺相结合制作多晶硅电阻条，作为微桥谐振器A(3)、微桥谐振器B(4)的激励电阻(5)和检测电阻(6)；

【c】硅片正面淀积NiCrSi薄膜(13)，光刻加热电阻(2)图形，硫酸铈和硝酸的混合溶液腐蚀出加热电阻(2)的图形，去胶；

【d】淀积铝膜(14)，光刻引线(7)及焊盘(8)图形，磷酸溶液中腐蚀没有被光刻胶保护的铝，去胶，合金化；

【e】在硅片正面光刻成型槽(9)，干法刻蚀暴露在成型槽(9)中的氮化硅薄膜(11)和二氧化硅薄膜(10)，也可以采用缓释氢氟酸溶液湿法腐蚀二氧化硅薄膜(10)；

【f】划片；

【g】干法刻蚀硅，在纵向刻蚀成型槽(9)中的硅的同时横向刻蚀微桥谐振器A(3)、微桥谐振器B(4)下面的硅，释放微桥谐振器A(3)、微桥谐振器B(4)，去胶；

【h】将封装管壳和盖板前烘，进行热脱附除气，采用共晶键合技术将芯片焊接到管壳基座上，在芯片上焊盘和管壳上的引脚之间焊线，最后在真空系统中封帽。