[发明专利]提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构有效
| 申请号： | 201510564604.3 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN105070702B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈派林 | 申请（专利权）人： | 珠海全志科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 贾满意;李双皓 |
| 地址： | 519080 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 封装 兼容性 芯片 dram 排布 结构 | ||
1.一种提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，芯片的DRAM焊盘包括多个第一焊盘、多个第二焊盘和多个第三焊盘，所述多个第一焊盘间隔排列形成内排焊盘组，所述多个第二焊盘间隔排列形成中排焊盘组，所述多个第三焊盘间隔排列形成外排焊盘组，所述内排焊盘组位于所述芯片的中心位置与所述中排焊盘组之间，所述中排焊盘组位于所述内排焊盘组和所述外排焊盘组之间，所述外排焊盘组位于所述中排焊盘组与所述芯片的边界之间；
所述内排焊盘组包括DRAM电源焊盘和地信号焊盘，所述中排焊盘组包括DRAM的数据焊盘和控制信号焊盘，所述外排焊盘组包括与所述内排焊盘组相同的DRAM电源焊盘以及地信号焊盘；
所述芯片DRAM焊盘排布结构用于WB BGA封装，或DRAM SIP框架类封装，或只有芯片的框架类封装。
2.根据权利要求1所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述第一焊盘与所述第二焊盘错位设置，所述第二焊盘与所述第三焊盘错位设置。
3.根据权利要求1至2中任意一项所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述芯片的DRAM焊盘设置在所述芯片的边缘区域。
4.根据权利要求3所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述芯片的DRAM焊盘呈L型设置在主控DIE上。
5.根据权利要求4所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述内排焊盘组、所述中排焊盘组和所述外排焊盘组相对应的部分相互平行设置。
6.根据权利要求3所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述芯片的DRAM焊盘呈一字型设置在所述芯片上。
7.根据权利要求6所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述内排焊盘组、所述中排焊盘组和所述外排焊盘组相互平行设置。
8.根据权利要求3所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述芯片的DRAM焊盘呈两边型设置在所述芯片上。
9.根据权利要求8所述的提升封装兼容性的芯片DRAM焊盘排布结构，其特征在于，所述内排焊盘组、所述中排焊盘组和所述外排焊盘组相互平行设置。
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