[发明专利]具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管单元，包括第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区，其中所述源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中；以及

控制结构，所述控制结构包括在所述半导体台面的至少两个相对侧上从第一表面延伸到所述半导体本体中的第一部分、所述第一部分之间的距第一表面一定距离并且通过部分所述半导体台面与所述第一表面分离并且与所述第一部分分离的第二部分、以及距所述第一表面一定距离、连接所述第一部分和所述第二部分并且通过部分所述半导体台面与所述第一表面分离的第三部分，其中所述半导体台面的收缩区段分离沿着所述半导体台面的水平纵向延伸而彼此相邻的第三部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

第一、第二和第三部分与距所述第一表面第一距离处的底部平面对齐。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述控制结构至少包括第一控制电极和将所述第一控制电极与所述半导体本体分离的第一控制电介质。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述控制电介质具有在偏离所述第一表面的底部部分中的具有第一厚度的第一区段以及在所述第一区段与所述第一表面之间的具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二区段。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述控制结构包括在所述半导体台面的另外两个相对侧上延伸到所述半导体本体中的第四部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述控制结构包括在所述第二部分、所述第三部分以及所述第一部分的底部区段中的第一控制电极，以及在所述第一表面与所述底部区段之间的所述第一部分的顶部区段中与所述第一控制电极以电介质方式分离的第二控制电极。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述半导体台面还包括在所述第二部分中的相邻多个第二部分之间的另外的收缩区段。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述收缩区段的宽度和/或密度作为有关的收缩区段与所述半导体本体的边缘区域之间的距离的函数而变化，其中所述边缘区域不存在晶体管单元并且围绕包括晶体管单元的单元场。

9.一种半导体器件，包括：

晶体管单元，包括第一导电类型的源极区以及第二导电类型的本体区，其中所述源极区和所述本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中；以及

控制结构，所述控制结构包括布置在所述半导体台面的顶部区段的两个相对侧上并且从第一表面延伸到所述半导体本体中的顶部部分，以及在所述半导体台面的底部区段的相对侧距所述第一表面一定距离的底部部分，其中所述半导体台面的所述底部区段连接至所述顶部区段，其中顶部和底部水平区段中的至少一个显示沿着所述半导体台面的水平纵向延伸的宽度的变化，并且其中在顶部和底部水平区段这二者均显示沿着所述半导体台面的所述水平纵向延伸的宽度的变化的情况下，所述底部区段的所述宽度的变化和所述顶部区段的所述宽度的变化在几何上不相似。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

所述控制结构的所述底部部分彼此隔离并且沿着两个平行线布置。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

所述控制结构的所述顶部部分中的至少一个包括具有第一顶部宽度的第一顶部部分，以及具有大于所述第一顶部宽度的第二顶部宽度的第二顶部部分，第一和第二顶部部分彼此直接邻接并且沿着所述半导体台面的所述水平纵向延伸交替。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述源极区形成在所述半导体台面的在所述两个控制结构的相对的第一顶部部分之间的部分中。