[发明专利]一种半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其特征在于：所述缓冲层为包括Al_xN_1-x层和Al_yO_1-y层，0＜x＜1，0＜y＜1，循环层叠的超晶格结构层，所述超晶格结构层的第一个循环中所述Al_yO_1-y层置于所述Al_xN_1-x层之上，所述超晶格结构层在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，用于减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。

2.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述超晶格结构层的循环次数≥2。

3.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述 Al_xN_1-x层厚度≥Al_yO_1-y层厚度。

4.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述 Al_xN_1-x层厚度、Al_yO_1-y层厚度为5～500埃。

5.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述缓冲层与N型半导体之间包括一非掺杂半导体层。

6.一种半导体元件的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

S1、提供一衬底；

S2、利用物理气相沉积法于所述衬底表面沉积包括Al_xN_1-x层和Al_yO_1-y层，0＜x＜1，0＜y＜1，循环层叠的超晶格结构缓冲层，所述缓冲层在后续芯片制程的侧壁腐蚀过程中，用于减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率；

S3、利用化学气相沉积法于所述缓冲层表面沉积N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；

其中，所述步骤S2中，利用物理气相沉积法先于衬底表面沉积Al_xN_1-x层，再于所述Al_xN_1-x层表面沉积Al_yO_1-y层，并依次循环层叠形成超晶格结构缓冲层。

7.根据权利要求6所述的一种半导体元件的制备方法，其特征在于：所述步骤S3还包括，于缓冲层表面先沉积一非掺杂半导体层，再沉积N型半导体层。