[发明专利]一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法有效
申请号: | 201510565938.2 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN105261671B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 张建明;刘前 | 申请(专利权)人: | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)32239 | 代理人: | 丁秀华 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 激光 制备 薄膜 结构 方法 | ||
1.一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法,其包括以下步骤:
步骤1):选取基底,对其进行清洗和干燥处理;
步骤2):采用甩胶机对聚苯乙烯甲苯溶液进行均匀旋涂,干燥后获得纯净平整的聚苯乙烯薄膜;
步骤3):在聚苯乙烯薄膜上继续采用物理气相沉积工艺镀制一层多晶硅薄膜;
步骤4):使用激光在所制备的薄膜上进行照射刻写,使刻写部分的薄膜出现微凸起结构阵列。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4)包括:使用激光直写对需要制备微结构阵列的薄膜部位进行直写。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基底为玻璃材质基片、单晶基片或高分子聚合物,且基底为硬或软的基片。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述玻璃材质基片包括普通盖玻片、载玻片或石英玻璃;所述单晶基片包括单晶Si片、砷化镓基片、氮化镓基片。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述高分子聚合物基底为绝缘材质的柔性基片,其包括PMMA、PC基片。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3)中的物理气相沉积工艺为磁控溅射、离子溅射、激光脉冲沉积、电子束沉积。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微凸起结构阵列的微凸起结构的直径从纳米尺度到微米尺度;微凸起结构为少半球、半球、多半球。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚苯乙烯薄膜的制备步骤包括:首先将纯净的聚苯乙烯固体溶解在甲苯溶液中,通过升温和磁力搅拌机加快聚苯乙烯固体的溶解速度并提高聚苯乙烯在甲苯溶液中分布均匀;待聚苯乙烯固体完全溶解后,使用过滤直径为0.45μm和0.22μm的有机滤器将溶液先后过滤两次,以确保获得干净的聚苯乙烯甲苯溶液;再通过调整聚苯乙烯浓度,可以获得不同质量分数的PS甲苯溶液;然后采取旋涂的方法获得平整而均匀的薄膜,且在旋涂的过程中,滴在衬底基片中央的液滴随着旋转的开始快速摊开均匀地布满整个基片,甲苯溶剂快速的挥发而获得聚苯乙烯薄膜,其厚度通过聚苯乙烯的甲苯溶液浓度和甩胶机的转速来控制;最后对旋涂好的聚苯乙烯薄膜在80℃的温度下进行烘干1小时去除残余的甲苯溶剂分子。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多晶硅薄膜的厚度为20nm-500nm,聚苯乙烯薄膜的厚度为100nm-2μm。
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