[发明专利]生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了几代IC，其中每代都比前一代具有更小且更为复杂的电路。然而，这些进步已经增加了处理和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要在IC处理和制造中的类似发展。在IC的发展过程中，通常功能密度(即，每个芯片面积的互连器件的数量)增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))减小。

在制造操作中，离子注入广泛地用于制造半导体集成电路中。例如，通常通过离子注入来生成N阱和P阱。通过离子注入，改变诸如半导体晶圆的工件中杂质的量，以便引入导电性。期望的杂质材料可以在离子源中被离子化，可以使离子加速以形成规定能量的离子束，并且可以在晶圆的正面引导离子束。束中的能量离子渗透至半导体材料的块内并且嵌入至半导体材料的晶格内，以形成期望的导电区域。可以通过束移动、晶圆移动或通过它们的任何组合将离子束分布在晶圆区上方。

用于晶圆注入的传统操作在注入操作期间通常需要用于注入晶圆内的一致的剂量或离子的量。以这种方法，使注入在晶圆的整个区域上方的离子注入量是均匀的。随着半导体芯片和器件趋于变得小型化，不可避免地，在一个或多个其他操作步骤中的变化对于离子注入操作变得重要。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，根据本发明的一些实施例，提供了一种用于生成参数图案的方法，包括：在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；以及根据所述多个测量结果，通过计算机导出参数图案；其中，所述参数图案包括与所述工件的表面上的多个区域中的每个对应的多个区域性参数值。

在上述方法中，其中，通过至少一条水平线和至少一条垂直线来对所述工件的表面进行分区。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是线宽的临界尺寸。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是线宽的临界尺寸；其中，所述层的空间维度是FinFET的线宽的临界尺寸。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是浅沟槽隔离件的厚度。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是阶梯高度。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是阶梯高度；其中，所述阶梯高度是栅极氧化物的厚度。

在上述方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量；其中，所述多个测量涉及测量所述层的空间维度；其中，所述层的空间维度是外延体积的尺寸。

根据本发明的另一些实施例，提供了一种离子注入方法，包括：在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；根据所述多个测量结果导出包括参数图案的控制信号；以及将所述控制信号输入离子注入机，以在所述多个区域的每个中实现期望的离子注入图案；其中，所述参数图案包括与所述工件的表面上的所述多个区域对应的多个区域性参数值。

在上述离子注入方法中，其中，所述工件的表面包括具有期望的图案的层，并且在所述多个区域的每个中的图案上实施所述多个测量，以及所述多个测量涉及所述层的空间维度。

在上述离子注入方法中，其中，根据所述多个测量结果导出包括所述参数图案的控制信号的步骤包括：平均化从所述多个区域获得的测量结果。