[发明专利]利用毛笔制备有机半导体单晶微纳线阵列的方法

权利要求书

1.一种制备单晶阵列的方法，包括如下步骤：

1)将有机半导体材料溶于溶剂中，得到有机半导体材料的溶液；

2)将衬底进行等离子处理后，用毛笔蘸取步骤1)所得有机半导体材料的溶液，按压在等离子处理后的衬底上，待溶液铺开，再将毛笔慢慢抬起，待所述溶剂挥发后，得到所述单晶阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，有机半导体材料为TCNQ或DBTTF；

所述溶剂为乙腈或二氯甲烷；

所述有机半导体材料的溶液中，有机半导体材料的浓度为0.2g/L-3g/L。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤2)等离子处理步骤中，时间为0.5min-2min；

功率为10-40W；

处理气氛为氧气气氛；

真空度为30-40pa；

氧气的流速为5-10sccm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，衬底为刚性衬底或柔性衬底。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述刚性衬底为硅片、硅/二氧化硅片、玻璃片和三维玻璃半球中的任意一种；

所述柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或隐形眼镜。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述单晶阵列为微纳阵列。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述微纳阵列为微纳线阵列。

8.权利要求1-7任一所述方法制备得到的单晶阵列。

9.根据权利要求8所述的单晶阵列，其特征在于：所述单晶阵列为微纳阵列。

10.根据权利要求9所述的单晶阵列，其特征在于：所述微纳阵列为微纳线阵列。

11.权利要求8-10任一所述单晶阵列作为半导体层在制备场效应晶体管中的应用。

12.以权利要求8-10任一所述单晶阵列作为半导体层的场效应晶体管。