[发明专利]形成具有内置直流偏压电场电卡聚合物的方法及制冷装置

权利要求书

1.一种包括电卡聚合物制冷剂的制冷装置，其特征在于：其包括一电卡聚合物(EC polymer)，其中该电卡聚合物具有一内置的直流偏压电场，将具有一附加材料的电卡聚合物经过一电场而将该附加材料极化并形成一内置的直流偏压电场。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：该电卡聚合物被排置成包括一个或多个弛豫铁电体三元共聚物和一个或多个常规铁电体聚合物的交替层的多层结构。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：电卡聚合物是包括一个或多个分散在一个或多个弛豫铁电体三元聚合物中的常规铁电体聚合物的混合。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：该电卡聚合物是至少一弛豫铁电体三元聚合物和至少一常规铁电体陶瓷的复合材料。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：该至少一常规铁电体陶瓷是钛酸钡(BaTiO₃)。

6.如权利要求2或3或4或5中任一项所述的装置，其特征在于：该弛豫铁电体三元共聚物具有P(VDF_1-x-y-R¹_x-R²_y)的化学式，其中VDF是偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)，R¹是选自三氟乙烯(TrFE)和/或四氟乙烯(TFE)，R²是选自氯氟乙烯(chlorofluoroethylene,(CFE)),氯三氟乙烯(chlorotrifluoroethylene,(CTFE)),一氯二氟乙烯(chloro-difluoroethylene,(CDFE)),六氯丙烯(hexafluoropropylene(HFP)),六氟乙烯(hexafluoroethylene,(HFE)),偏二氯乙烯(vinylidene chloride(VDC))，氯乙烯(vinyl fluoride,(VF))，四氟乙烯(TFE)，或者它们的组合，x的范围为0.01到0.49，y的范围为0.01到0.15。

7.如权利要求2或3中任一项所述的装置，其特征在于：常规铁电体聚合物具有P(VDF_1-z-R_z)的化学式，其中VDF是偏二氯乙烯(vinylidene fluoride)，R是选自三氯乙烯(TrFE)和/或四氯乙烯(TFE)，当R是三氟乙烯(TrFE)，z的范围为0.1到0.5，当R是四氟乙烯(TFE)，z的范围是0.1到0.4。

8.如权利要求2或3中任一项所述的装置，其特征在于：常规铁电体聚合物的体积百分率小于15％。

9.如权利要求1或2或3或4中任一项所述的装置，其特征在于：该电卡聚合物展现出一电卡效应在所施加的电场小于50MV/m下所诱导出的大于3℃的温度变化(△T)。

10.如权利要求1或2或3或4中任一项所述的装置，其特征在于：电卡聚合物是经过在高于100MV/m以及在温度高于30℃且超过一分钟的电场下被极化。

11.一种形成具有内置直流偏压电场电卡聚合物的方法，其特征在于：提供一具有附加材料的电卡聚合物，该附加材料在电场中经受极化并且为电卡聚合物形成一内置的直流偏压电场。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：包括将具有附加材料的电卡聚合物经过电压高于1000伏而温度超过30℃的电晕极化。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：包括将具有附加材料的电卡聚合物经过温度高于30℃，高于100MV/m的电场且时间超过一分钟。