[发明专利]可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510570377.5 申请日: 2015-09-09
公开(公告)号: CN105118908B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足 申请(专利权)人: 厦门乾照光电股份有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361100 福建省厦门市翔安区厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 提高 发光二极管 发光 效率 微光 传输 系统 制作方法
【权利要求书】:

1.可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:外延衬底上分别外延形成缓冲层、第一型导电层、有源层、第二型导电层和电极布拉格反射层;

S2:腐蚀去除焊台电极制作区域之外的电极布拉格反射层,只留下焊台电极制作区域内的电极布拉格反射层,在所述焊台电极制作区域内的电极布拉格反射层上进行掩膜并腐蚀制作出复数个圆柱状孔洞,腐蚀深度直至所述第二型导电层表面;

S3:在所述焊台电极制作区域内的电极布拉格反射层和所述第二型导电层上及电极布拉格反射层的圆柱状孔洞内形成图形制作层;

S4:在所述图形制作层表面的焊台电极制作区域进行掩膜制作,加热掩膜使掩膜软化成圆弧台型立体图形;

S5:采用ICP蚀刻所述圆弧台型立体图形,在所述图形制作层表面的焊台电极制作区域形成圆弧台型立体反射器;

S6:在焊台电极制作区域形成焊台电极;

S7:在所述外延衬底下方形成背面电极,裂片得到发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述圆弧台型立体反射器与所述的图形制作层的圆柱状体在垂直方向上位置重合、投影面积大小一样且数量相同。

3.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述步骤S6中包括,在焊台电极制作区域分别形成焊台电极的底部构成部分和焊台电极的顶部构成部分,焊台电极的底层构成部分由吸光能力弱的金属构成,焊台电极的顶层构成部分由常规焊台金属构成。

4.根据权利要求3所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述焊台电极的底层构成部分的材料包括Ag金属元素;所述焊台电极的顶层构成部分的材料包括Au、Pt、Ti金属元素。

5.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述图形制作层的材料包括GaN、AlGaN、AlGaAs、GaAs、AlGaInP、GaInP、GaP。

6.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述图形制作层的厚度为0.1-10μm。

7.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:每个所述圆弧台型立体反射器的高度为0.5-5μm;底部平面直径为0.5-30μm;顶部平面直径为0.1-3μm。

8.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述电极布拉格反射层与所述圆弧台型立体反射器的底部平面在垂直方向上的距离为0.5-10μm。

9.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述圆弧台型立体反射器的数量密度为1-500个/cm2

10.根据权利要求1所述的可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法,其特征在于:所述焊台电极的厚度为5-20μm。

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