[发明专利]衬底清洁和无电沉积的方法和溶液在审
申请号: | 201510570414.2 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN105161452A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 阿尔图尔·科利奇;李南海 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 清洁 沉积 方法 溶液 | ||
1.一种用于清洁衬底以在该衬底上无电沉积帽层的清洁溶液,该清洁溶液包含一种或多种羟基羧酸或一种或多种羟基羧酸的一种或多种非碱金属盐。
2.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>0.5和<2.5,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;以及
可选地,一种或多种pH调节剂。
3.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>2.5和<5,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;以及
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂。
4.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>5和<8,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂;
可选地,一种或多种防腐剂,其基本不含氮并基本不含硫;以及
可选地,一种或多种除氧剂。
5.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>8和<13,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂;
可选地,一种或多种防腐剂,基本不含氮并基本不含硫;以及
可选地,一种或多种除氧剂。
6.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH<2.5,并进一步包含:
可选地,一种或多种表面活性剂;
可选地,一种或多种还原剂;以及
可选地,一种或多种pH调节剂。
7.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>0.5和<2.5,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;以及
一种或多种氟化合物,选自氟化氢、四氟硼酸盐和氢氟酸的非金属盐。
8.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>2.5和<5,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂;以及
一种或多种氟化合物,选自氟化氢、四氟硼酸盐和氢氟酸的非金属盐。
9.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>5和<8,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂;
可选地,一种或多种防腐剂,其基本不含氮并基本不含硫;
可选地,一种或多种除氧剂;以及
一种或多种氟化合物,选自氟化氢、四氟硼酸盐和氢氟酸的非金属盐。
10.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH>8和<13,并进一步包含:
一种或多种表面活性剂;
一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;
可选地,一种或多种用于Cu(I)离子的络合剂;
可选地,一种或多种防腐剂,其基本不含氮并基本不含硫;
可选地,一种或多种除氧剂;以及
一种或多种氟化合物,选自氟化氢、四氟硼酸盐和氢氟酸的非金属盐。
11.根据权利要求1所述的清洁溶液,其pH<2.5,并进一步包含:
可选地,一种或多种表面活性剂;
可选地,一种或多种还原剂;
可选地,一种或多种pH调节剂;以及
一种或多种氟化合物,选自氟化氢、四氟硼酸盐和氢氟酸的非金属盐;
该清洁溶液的pH是。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造