[发明专利]制造相变化记忆体的方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：

在一半导体基材上形成一第一介电层、至少一导电接触结构以及至少一第一电极，其中该第一电极迭置在该导电接触结构上，且该第一电极的顶面露出该第一介电层；

形成具有至少一开口的一第二介电层于该第一介电层上，其中该开口露出该第一电极的该顶面；

形成一阻障层衬裹该开口的一侧壁；

形成一相变化元件于该开口内，包含以下操作：

沉积一相变化材料层于该开口内以及该第二介电层上，其中该相变化材料层在该开口中包覆一孔洞；

移除沉积在该第二介电层上的该相变化材料层；以及

蚀刻沉积在开口内的该相变化材料层的一部分以暴露出该孔洞，而形成一凹口，

其中该相变化元件包含：一底座，接触该第一电极的该顶面；以及一围壁，由该底座的周缘沿着该阻障层向上延伸，该围壁的内缘定义该凹口，该凹口的入口的宽度大于该凹口的底部的宽度；

形成一加热元件填充在该凹口内，其中该加热元件的上部的宽度大于该加热元件的下部的宽度；以及

形成一第二电极于该加热元件上方。

2.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，形成该阻障层衬裹该开口的该侧壁的操作包含：

沉积一阻障材料层于该第二介电层、该侧壁以及该第一电极的该顶面上；以及

移除该阻障材料层沉积在该第二介电层以及该顶面上的部分。

3.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该凹口的该入口的该宽度为30nm至100nm，该凹口的该底部的该宽度为12nm至30nm。

4.权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该凹口的该入口的该宽度对该凹口的该底部的该宽度的比值为1.2至9。

5.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该凹口的该入口至该凹口的该底部定义该凹口的深度，该深度为30nm至70nm。

6.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该加热元件的该上部的该宽度为该凹口的该入口的该宽度，该加热元件的该下部的该宽度为该凹口的该底部的该宽度。

7.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，形成该加热元件的操作包含形成一辅助电极，该辅助电极由该加热元件的该上部延伸出，且与该上部具有相同的宽度。

8.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，形成该第二电极的操作包含：

形成一第三介电层于该加热元件上方，其中该第三介电层具有一第一开孔露出该加热元件；以及

在该第一开孔中形成该第二电极。