[发明专利]一种Cu掺杂三维有序非晶二氧化钛纳米管复合材料的应用有效

专利信息
申请号: 201510570654.2 申请日: 2015-09-10
公开(公告)号: CN105226247B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 侯宏英;孟瑞晋;刘显茜;段继祥;刘松 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M10/0525
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 cu 掺杂 三维 有序 非晶二 氧化 纳米 复合材料 应用
【权利要求书】:

1.一种Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管复合材料的应用,其特征在于:Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管阵列复合材料用作锂离子电池的工作电极;

制备锂离子电池过程中无需添加额外的导电剂和粘结剂;

所述Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管复合材料的制备方法,具体包括以下步骤:以阳极氧化法制备的三维有序非晶TiO2纳米管阵列为工作电极,以铂片为对电极,以饱和甘汞电极为参比电极,以含有支持电解质的铜盐溶液为电解液,在非晶TiO2纳米管阵列上原位电沉积Cu,即可制得Cu掺杂的三维有序非晶TiO2纳米管阵列复合负极材料,冲洗干净并真空干燥后备用;

铜盐为硝酸铜、硫酸铜或氯化铜,在电解液中铜盐的浓度为0.01~0.1mol/L,

支持电解质为硫酸盐或稀硫酸,在电解液中硫酸盐或稀硫酸的浓度为0.01~0.03 mol/L。

2.根据权利要求1所述Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管复合材料的应用,其特征在于:所述电沉积的沉积时间为20~100 s。

3.根据权利要求1所述Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管复合材料的应用,其特征在于:所述电沉积的沉积电位为-1.0~-2.0 V。

4.根据权利要求1所述Cu掺杂三维有序非晶TiO2纳米管复合材料的应用,其特征在于:所述的真空干燥温度为20~40℃。

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