[发明专利]USB高速发送芯片和电路

权利要求书

1.一种USB高速发送芯片，其特征在于，其包括：

基准电流产生电路，其包括运算放大器、第一晶体管和第一电阻，

所述运算放大器的第一输入端与一个参考电压相连，第二输入端与第一电阻的第一端相连，第一电阻的第二端接地，所述运算放大器的输出端与第一晶体管的控制端相连，第一晶体管的第一连接端接电源电压，第一晶体管的第二连接端接第一电阻的第一端，所述第一电阻上流过基准电流；

电流复制电路，用于复制所述基准电流形成复制电流，并将该复制电流注入第一节点；

串联于第一节点和接地端之间的第一控制开关和第二电阻，第二电阻的第一端作为第一输出端；

串联于第一节点和接地端之间的第二控制开关和第三电阻，第三电阻的第一端作为第二输出端，

第一电阻、第二电阻和第三电阻之间进行匹配设计，

第一控制开关的第一连接端与第一节点相连，第二连接端与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端接地；

第二控制开关的第一连接端与第一节点相连，第二连接端与第三电阻的第一端相连，第三电阻的第二端接地。

2.根据权利要求1所述的USB高速发送芯片，其特征在于，一个外部第四电阻串联于第二输出端和接地端之间，一个外部第五电阻串联于第一输出端和接地端之间。

3.根据权利要求1所述的USB高速发送芯片，其特征在于，

第一晶体管为PMOS晶体管MP1，PMOS晶体管MP1的源极为第一连接端，PMOS晶体管MP1的漏极为第二连接端，PMOS晶体管MP1的栅极为控制端，

电流复制电路包括PMOS晶体管MP2、MP3、MP4，NMOS晶体管MN1和MN2，

PMOS晶体管MP2的源极和栅极分别与PMOS晶体管MP1的源极和栅极相连，PMOS晶体管MP2的漏极与NMOS晶体管MN1的漏极和栅极相连，

NMOS晶体管MN1的源极接地，栅极与NMOS晶体管MN2的栅极相连，

NMOS晶体管MN2的源极接地，漏极与PMOS晶体管MP3的漏极和栅极相连，

PMOS晶体管MP3的源极和栅极分别与PMOS晶体管MP4的源极和漏极相连，PMOS晶体管MP4的漏极作为第一节点输出所述复制电流。

4.根据权利要求1所述的USB高速发送芯片，其特征在于，第一电阻、第二电阻和第三电阻的电阻值的相对误差由于匹配设计而被控制在+/-1％之内。

5.根据权利要求4所述的USB高速发送芯片，其特征在于，第一电阻、第二电阻和第三电阻均包括有多个电阻单元，第一电阻的电阻单元组成第一电阻阵列，第二电阻的电阻单元组成第二电阻阵列，第三电阻的电阻单元组成第三电阻阵列，相邻的两个电阻单元之间的间隔距离相同，各个电阻单元的长度和宽度相同，第一电阻的第一电阻单元阵列的中心点、第二电阻的第二电阻单元阵列的中心点，第三电阻的第三电阻单元阵列的中心点重合，所有电阻单元阵列的两边加设仿真电阻，仿真电阻的长度和宽度也都和各个电阻单元保持一致。

6.一种USB高速发送电路，其特征在于，其包括：

如权利要求1-5任一所述的USB高速发送芯片；

串联于第二输出端和接地端之间的第四电阻，

串联于第一输出端和接地端之间的第五电阻。