[发明专利]荧光体及使用它的发光装置以及荧光体的制造方法

权利要求书

1.通式La_xCe_ySi₆N_z表示的荧光体，式中，2.75≤x≤2.81，0.12≤y≤0.15，10.97≤z≤11.17，其中，

含有10～10000ppm的Ba和/或Sr，

在400～510nm波长区域，存在激发强度为其最大值的70％的第一波长及第二波长，第二波长比第一波长长，且所述第一波长和所述第二波长之差为70nm以上，

所述荧光体的平均粒径为20～40μm。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

所述第一波长和所述第二波长之差为80nm以上。

3.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

350～450nm波长区域的激发强度的最小值为400～510nm波长区域的激发强度的最大值的50％以上。

4.通式La_xCe_ySi₆N_z表示的荧光体，式中，2.75≤x≤2.81，0.12≤y≤0.15，10.97≤z≤11.17，其中，

含有10～10000ppm的Ba和/或Sr，

350～450nm波长区域的激发强度的最小值为400～510nm波长区域的激发强度的最大值的50％以上，

所述荧光体的平均粒径为20～40μm。

5.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

含有500～10000ppm的Ba和/或Sr。

6.根据权利要求4所述的荧光体，其中，

含有500～10000ppm的Ba和/或Sr。

7.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

含有10～10000ppm的F。

8.根据权利要求4所述的荧光体，其中，

含有10～10000ppm的F。

9.一种发光装置，其具备：

在420～470nm的波长区域内具有发光峰值波长、且发出紫外区域至蓝色区域的光的激发光源、和权利要求1所述的荧光体。

10.一种发光装置，其具备：

在420～470nm的波长区域内具有发光峰值波长、且发出紫外区域至蓝色区域的光的激发光源、和权利要求4所述的荧光体。

11.通式La_xCe_ySi₆N_z所示荧光体的制造方法，式中，2.75≤x≤2.81，0.12≤y≤0.15，10.97≤z≤11.17，

该方法包含下述工序：

称量La、Ce及Si的单质、氧化物、氮化物、碳酸盐、磷酸盐、硅酸盐或卤化物，使得La、Ce及Si达到所述荧光体组成的化学计量比，通过与作为助熔剂的至少BaF₂和/或SrF₂一起粉碎及混合，得到原料混合物的工序；

在还原气体氛围下焙烧所述原料混合物，得到焙烧物的工序；

粉碎所述焙烧物，得到平均粒径为20～40μm的粉末状的荧光体的工序。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述原料混合物中助熔剂的含量为0.01～15.0重量％。