[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201510571584.2 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105405761A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 山本高裕;大野彰仁;惠良淳史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/205;H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
具备下述工序：
在半绝缘性衬底上，以第1生长条件形成GaN沟道层；
在所述GaN沟道层上，一边从所述第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成转变层；以及
在所述转变层上，以所述第2生长条件形成AlGaN电子供给层，
在该高电子迁移率晶体管的制造方法中，不进行生长中断而连续地形成所述GaN沟道层、所述转变层、以及所述AlGaN电子供给层。
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
所述第1生长条件具有第1生长温度，
所述第2生长条件具有比所述第1生长温度高的第2生长温度，
一边从所述第1生长温度向所述第2生长温度上升，一边形成所述转变层。
3.根据权利要求1或2所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
在一边供给三甲基镓一边形成所述GaN沟道层之后，不停止所述三甲基镓的供给，形成所述转变层。
4.根据权利要求1或2所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
所述转变层是GaN。
5.根据权利要求1或2所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
所述转变层是AlGaN。
6.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
还具备下述工序，即，在所述转变层与所述AlGaN电子供给层之间，以所述第2生长条件形成AlN间隔层。
7.根据权利要求1或2所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，
将所述转变层的生长时间设为小于或等于60sec。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
