[发明专利]一种横向恒流二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510572141.5 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105047724A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张康;代刚;何逸涛;于亮亮;张晓菲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向恒流二极管，包括P型衬底(9)和位于P型衬底(9)上层的第一N型阱区(8)；所述第一N型阱区(8)的上层具有第一N型重掺杂区(4)、P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)、第二N型重掺杂区(7)，所述P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)相连接并位于第一N型重掺杂区(4)和第二N型重掺杂区(7)之间，其中P型重掺杂区(5)位于靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；其特征在于，所述P型衬底(9)中还具有第二N型阱区(14)，所述第二N型阱区(14)位于P型衬底上层靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；所述第二N型阱区(14)上层两侧分别具有第三N型重掺杂区(13)和第四N型重掺杂区(3)，所述第四N型重掺杂区(3)位于靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；所述P型衬底(9)的下表面、P型重掺杂区(5)的上表面和第三N型重掺杂区(13)的上表面具有金属阴极(1)；所述第二N型重掺杂区(7)的上表面具有金属阳极(11)；所述第一N型重掺杂区(4)的上表面和第四N型重掺杂区(3)的上表面通过金属电极(12)电气连接；所述金属阴极(1)与金属电极(12)之间的P型衬底(9)上表面和金属阴极(1)与金属阳极(11)之间的P型衬底(9)上表面具有氧化层(2)；所述金属电极(12)与P型衬底(9)上表面之间具有氧化层(2)。
2.一种横向恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：采用离子注入工艺，在P型衬底(9)上层注入N型半导体杂质，在P型衬底(9)上层两侧分别形成第一N型阱区(8)和第二N型阱区(14)；
第二步：采用离子注入工艺，在第一N型阱区(8)上层注入P型半导体杂质，形成P型重掺杂区(5)；
第三步：采用离子注入工艺，在第一N型阱区(8)上层注入P型半导体杂质，形成P型重轻杂区(6)；所述P型重掺杂区(5)和P型重轻杂区(6)相互连接，其中P型重掺杂区(5)位于靠近第二N型阱区(14)的一侧；
第四步：采用离子注入工艺，在第一N型阱区(8)上层和第二N型阱区(14)上层注入N型半导体杂质，分别在第一N型阱区(8)上层两侧形成第一N型重掺杂区(4)和第二N型重掺杂区(7)，在第二N型阱区(14)上层两侧形成第三N型重掺杂区(13)和第四N型重掺杂区(3)；所述第四N型重掺杂区(3)与第一N型重掺杂区(4)相邻；
第五步：在P型衬底(9)上表面淀积氧化层(2)；
第六步：光刻欧姆孔后淀积金属层，在P型衬底(9)的下表面、P型重掺杂区(5)的上表面和第三N型重掺杂区(13)的上表面形成金属阴极(1)；在第二N型重掺杂区(7)的上表面形成金属阳极(11)；在第一N型重掺杂区(4)的上表面和第四N型重掺杂区(3)的上表面形成金属电极(12)；其中第一N型重掺杂区(4)的上表面和第四N型重掺杂区(3)的上表面的金属电极(12)在氧化层(2)上表面电气相连。
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