[发明专利]单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术在审

专利信息
申请号: 201510573050.3 申请日: 2015-09-10
公开(公告)号: CN105262204A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06;C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201604 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 生长 分区 不间断 稳定 供电 技术
【权利要求书】:

1.一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术;市电与单晶生长炉完全断开,只通过本发明供电技术供电;硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域,直流区域为加热器和控制系统,交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统;本发明单晶硅生长不间断稳定供电技术主体分成四个部分,第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分,且通过升压将电压提高12%;第二部分为电池组部分,采用锂离子电池做为长效型电池存储单元,可持续单独供电30min;第三部分为直流输出部分,是主功率输出部分,具备电压和电流的双重供电调节能力,分为多级体系,为加热器和控制系统供电;第四部分为交流输出部分,采用逆变器输出,为冷却水等辅助系统供电。

2.根据权利要求1所述的一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术,其特征在于电源的输入具备两组电源,分别为380V交流市电和备用380V交流电源,备用电源可以为备用发电机组;电源的功率要求300kW以上;整流稳定及充电部分的特征在于,电源引入在本发明供电技术是以变压器的方式接入,采用电容、电感滤除输入电源的波动噪声。

3.根据权利要求1至2所述的单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术,其特征在于接入变压器为升压变压器,将市电的电压提高12%;功率器件为功率双极晶体管,可以在功率双极晶体管中引入RCD电路,使功率双级晶体管处于安全工作区间;采用6脉冲或12脉冲晶闸管全桥整流,将交流电转换成直流电压;为逆变器供电和电池组充电。

4.根据权利要求1至3所述的单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术,其特征还在于电池组的特征在于,采用长效型锂离子电池做为存储电池组,采用磷酸铁锂做为正极,采用钛酸锂做为负极材料,电池充放电循环在1000次以上;单体电池组的额定电压为48V,容量为200Ah;整体存储电池组由48个单体电池组构成,连接方式为3并8串;在储能电池组在市电和备用电源断电的情况下,可单独持续供电30min。

5.根据权利要求1至4所述的单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术,其特征在于直流输出部分为主输出部分,其特征在于具备电压和电流的双重调节能力;将直流电压通过电路分压成多个低压直流电源,满足碳板电极和控制系统用电要求。

6.根据权利要求1至5所述的单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术,其特征在于供电技术交流电压的输出部分,市电整流后的直流电压或储电池组的直流电压,通过电压调节稳定保持在380V后,直流电压引逆变器;逆变器采用全桥逆变电路,根据硅单晶炉提供交流电源,可提供三相或单相交流电源。

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