[发明专利]硅片及退火处理方法

权利要求书

1.一种单晶硅硅片的退火处理方法，其特征在于，将采用C_Z法拉制得氧浓度范围在3×10¹⁷～7×10¹⁷atoms/cm³以内、氮浓度范围在5×10¹⁴～2×10¹⁶atoms/cm³以内的单晶硅锭加工制作的原始硅片，置于可施加电场的垂直退火炉中，在保持不低于1200℃且不高于1300℃的恒定温度的热场和电场的作用下退火处理，历时不低于2小时，在整个过程中电场强度的方向保持不变，其电场强度为0.5KV/cm～8KV/cm。

2.如权利要求1所述的退火处理方法，其特征在于，整个退火过程硅片处于非氧化气氛中。

3.如权利要求2所述的退火处理方法，其特征在于，所述非氧化气氛为氩气气氛。

4.如权利要求1所述的退火处理方法，其特征在于，整个退火处理过程使硅片暴露于电场强度方向不变的电场中，其电场强度为0.5KV/cm～3KV/cm。

5.如权利要求1所述的退火处理方法，其特征在于，所述的电场，其电场方向与硅片表面法线的夹角小于30度。

6.如权利要求5所述的退火处理方法，其特征在于，所述的电场，其电势降低的方向垂直于硅片正表面。

7.如权利要求5所述的退火处理方法，其特征在于，所述硅片的正表面处于电场的高电势点，背面处于电场的低电势点。

8.一种单晶硅硅片的退火处理方法，其特征在于，将采用C_Z法拉制得氧浓度范围在3×10¹⁷～7×10¹⁷atoms/cm³以内、氮浓度范围在5×10¹⁴～2×10¹⁶atoms/cm³以内的单晶硅锭加工制作的原始硅片，置于可施加电场的垂直退火炉中，在保持1200℃的恒定温度的热场和电场的作用下退火处理，历时不低于2小时，且恒温退火处理期间的某一时刻，将电场强度的方向转变为与之之前相反的方向，其电场强度为0.5KV/cm～8KV/cm。

9.如权利要求8所述的退火处理方法，其特征在于，所述的某一时刻为恒温过程的任意时刻。

10.如权利要求9所述的退火处理方法，其特征在于，所述的某一时刻为1/4恒温退火总时间至3/4恒温退火总时间的时刻。

11.如权利要求8所述的退火处理方法，其特性在于，整个退火过程硅片处于非氧化气氛中。

12.如权利要求11所述的退火处理方法，其特征在于，所述非氧化气氛为氩气气氛。

13.如权利要求8所述的退火处理方法，其特征在于，在恒温退火处理期间的某一时刻，将电场强度的方向转变为与之之前相反的方向，其电场强度为0.5KV/cm～3KV/cm。

14.如权利要求8所述的退火处理方法，其特征在于，所述的电场，其电场方向与硅片表面法线的夹角小于30度。

15.如权利要求8所述的退火处理方法，其特征在于，所述的电场，其电势降低的方向垂直于硅片正表面。

16.如权利要求14所述的退火处理方法，其特征在于，所述硅片的正表面处于电场的高电势点，背面处于电场的低电势点。