[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510573306.0 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN106519689A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王云翔 | 申请（专利权）人： | 苏州锐材半导体有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/04 | 分类号： | C08L83/04;C08J5/18;C08J9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚二甲基硅氧烷 多孔 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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